[发明专利]一种(MV)[SbBr5 在审
申请号: | 202010332205.5 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111355477A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 王守宇;马晓婷;刘卫芳;雷蕴麟 | 申请(专利权)人: | 天津师范大学 |
主分类号: | H03K17/78 | 分类号: | H03K17/78;H03K17/90;H03K17/04;C07D213/22 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 朱玲艳 |
地址: | 300000 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mv sbbr base sub | ||
1.一种(MV)[SbBr5]材料在光控开关中的应用,将(MV)[SbBr5]材料制成电阻,然后将所述电阻制备成电磁铁用于光电开关。
2.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述电磁铁包括铁芯、绕制于所述铁芯表面的线圈、与所述线圈串联的恒定电压源、开关以及电阻。
3.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述(MV)[SbBr5]材料的制备方法包括以下步骤:
(1)将4’4-联吡啶、SbBr3、氢溴酸溶液和甲醇混合后进行原位N-烷基化反应,得到混合物;
(2)将所述步骤(1)中的混合物在170~200℃保温20~30小时,得到(MV)[SbBr5]材料。
4.根据权利要求3所述的应用,其特征在于,所述步骤(1)中氢溴酸溶液中氢溴酸的质量浓度为55%~57%。
5.根据权利要求3所述的应用,其特征在于,所述步骤(1)中4’4-联吡啶与SbBr3的物质的量之比为1:1~1:2。
6.根据权利要求3所述的应用,其特征在于,所述步骤(1)中4’4-联吡啶与氢溴酸的物质的量之比为1:1~1:3。
7.根据权利要求3所述的应用,其特征在于,所述步骤(2)中的保温在电热鼓风干燥箱中进行。
8.根据权利要求3所述的应用,其特征在于,所述步骤(2)中保温后还包括对所述保温后的产物依次进行清洗、过滤和干燥。
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