[发明专利]多线切割装置及多线切割方法

说明书

本发明涉及一种多线切割装置，包括：切割结构，包括至少两个线辊，和缠绕于至少两个线辊上的多条切割线；晶棒固定结构，包括沿第一方向相对设置的两个支撑部，两个支撑部分别位于切割线的两侧，每个支撑部包括多个沿第二方向并排设置的多个支撑板，每条切割线在支撑部上的正投影位于相邻两个支撑板之间；晶向确定结构，包括用于测定晶向的晶向测定单元，根据晶向测定单元的测定结果调整晶棒晶向以使得待切割断面与切割线的切割方向相平行的晶向调整单元；移动控制结构，用于控制切割结构和/或晶棒固定结构移动，以使得切割结构和晶棒固定结构相向移动、以对晶棒进行切割。本发明还涉及一种多线切割方法。

技术领域

本发明涉及硅片产品制作技术领域，尤其涉及一种多线切割装置及多线切割方法。

背景技术

半导体硅片制作先后经过长晶，成型，抛光，清洗等环节制备而成，其中成型过程将长晶后的单晶硅棒通过钢线切割成片并打磨平坦光滑，切割过程又分为游离磨粒方式(直钢线+切削粉)和固定磨粒方式(金刚线)切割。

现有硅片切割方式主要经过三个主要过程，即：晶棒晶向测量和粘接，多线切割，切割后清洗及解胶分片；

根据布拉格定理，使用X射线测量晶棒晶向，找到需要进行的切割面，并通过树脂胶水粘接在树脂缓冲板和工件板上，经过多线切割后通过表面活性剂进行清洗，并使用热水解胶使硅片与树脂缓冲板及工件板分离，此过程中，晶棒粘结的品质将直接影响晶片切割的品质，且粘结时间长达8小时以上，生产周期长。晶棒切割后需要进行晶棒解胶过程使得硅片分离成片，其过程存在硅片品质风险。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种多线切割装置及多线切割方法，解决由于晶棒粘接产生的效率低的问题。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种多线切割装置，包括：

切割结构，包括至少两个线辊，和缠绕于所述至少两个线辊上的多条切割线；

晶棒固定结构，包括沿第一方向相对设置的两个支撑部，两个所述支撑部分别位于所述切割线的两侧，每个所述支撑部包括多个沿第二方向并排设置的多个支撑板，每条所述切割线在所述支撑部上的正投影位于相邻两个所述支撑板之间；

晶向确定结构，包括晶向调整单元和用于测定晶向的晶向测定单元，所述晶向调整单元根据所述晶向测定单元的测定结果调整晶棒晶向、以使得待切割断面与所述切割线的切割方向相平行；

移动控制结构，用于控制所述切割结构和/或所述晶棒固定结构移动，以使得所述切割结构和所述晶棒固定结构相向移动、以对晶棒进行切割；

所述第一方向为与多个所述切割线的延伸方向相垂直的方向，所述第二方向为与所述第一方向相垂直的方向。

可选的，两个所述支撑部包括第一支撑部和第二支撑部，所述第一支撑部上的支撑板与所述第二支撑部上的支撑板一一对应，且所述第一支撑部上的支撑板在所述第二支撑部上的正投影与所述第二支撑部上对应的支撑板相重合。

可选的，所述第一支撑部上的多个支撑板的结构与所述第二支撑部上的多个支撑板的结构相同，所述第一支撑部上的多个支撑板靠近所述切割线的一端的端面组合形成一弧面。

可选的，所述弧面的弧心角为30-60度。

可选的，所述弧面的半径与待固定晶棒的半径相同。

可选的，所述晶向测定单元包括位于所述晶棒固定结构的同一侧的射线发送器件和射线接收器件，以及根据所述射线接收器件接收的信息获得晶向相对于晶棒的轴线的偏差角度的偏差角度获取部。

可选的，所述晶向调整单元包括用于控制所述晶棒旋转的旋转部，所述旋转部包括能够连接于晶棒的轴向的两端的两个第一传动件，以及用于驱动所述第一传动件旋转预设角度以带动所述晶棒旋转预设角度的第一驱动件。