[发明专利]存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：

基底；

位线结构，位于所述基底上；

接触窗结构，位于所述位线结构一侧的所述基底上；以及

电容器结构，位于所述接触窗结构上，且包括：

第一电极，包括第一底面与第二底面，其中所述第一底面低于所述第二底面，且所述第一底面仅位于部分所述接触窗结构上；

第二电极，位于所述第一电极上；以及

绝缘层，位于所述第一电极与所述第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第一电极还包括：

连接面，连接于所述第一底面与所述第二底面之间，其中由所述第一底面、所述连接面与所述第二底面所形成的形状为阶梯状。

3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第一底面连接于所述接触窗结构的顶面。

4.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：

硬罩幕层，位于所述位线结构上，其中所述硬罩幕层的顶面高于所述接触窗结构的顶面，且所述第二底面连接于所述硬罩幕层的顶面。

5.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述接触窗结构包括：

第一接触窗，位于所述基底上；以及

第二接触窗，位于所述第一接触窗上，其中所述第二接触窗的上部的宽度大于所述第二接触窗的下部的宽度。

6.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：

蚀刻终止层，位于所述接触窗结构上，且暴露出所述接触窗结构的部分顶面。

7.一种存储器结构的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成位线结构；

在所述位线结构一侧的所述基底上形成接触窗结构；以及

在所述接触窗结构上形成电容器结构，其中所述电容器结构包括：

第一电极，以错位方式位于所述接触窗结构上，且包括第一底面与第二底面，其中所述第一底面低于所述第二底面，且所述第一底面位于所述接触窗结构上；

第二电极，位于所述第一电极上；以及

绝缘层，位于所述第一电极与所述第二电极之间。

8.根据权利要求7所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述位线结构上形成硬罩幕层。

9.根据权利要求8所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述接触窗结构包括：

第一接触窗，位于所述基底上；以及

第二接触窗，位于所述第一接触窗上，其中所述第二接触窗的形成方法包括：

在所述第一接触窗上形成接触窗材料层；以及

对接触窗材料层进行蚀刻处理，而形成所述第二接触窗，且在所述第二接触窗上方形成第一开口，而使得所述硬罩幕层的顶面高于所述第二接触窗的顶面。

10.根据权利要求9所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述第一电极的形成方法包括：

形成填入所述第一开口的介电结构；

在所述介电结构中形成暴露出部分所述第二接触窗的第二开口；以及

共形地在所述第二开口中形成所述第一电极。

11.根据权利要求10所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述介电结构包括：

第一介电层，填入所述第一开口；以及

第二介电层，位于所述第一介电层上，其中湿式蚀刻处理对所述第一介电层的蚀刻率大于所述湿式蚀刻处理对所述第二介电层的蚀刻率。

12.根据权利要求10所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述第一电极的形成方法还包括：

在形成填入所述第一开口的所述介电结构之前，在所述第一开口的表面上形成蚀刻终止层；以及

在形成填入所述第一开口的所述介电结构之后，移除部分所述蚀刻终止层，而使得所述第二开口暴露出部分所述第二接触窗。