[发明专利]一种半桥逆变电路和电子设备

权利要求书

1.一种半桥逆变电路，其特征在于，包括：第一电容、第二电容、第三电容、第一电感、第二电感、第一开关管、第二开关管、第一二极管、第二二极管和负载；其中，

所述第一电容的第一端与所述第一开关管的第二端连接，所述第一电容的第二端接地，所述第一开关管的第二端连接外接控制器，所述第一开关管的第三端与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端与所述第三电容的第一端连接，所述第三电容的第二端接地；

所述第二电容的第一端接地，所述第二电容的第二端与所述第二开关管的第三端连接，所述第二开关管的第一端与所述第一电感的第二端连接，所述第二开关管的第二端连接外接控制器，所述第一电感的第一端接地；

所述第一二极管的正极与所述第二电容的第二端连接，所述第一二极管的负极与所述第二电感的第一端连接；所述第二二极管的正极与所述第一电感的第二端连接，所述第二二极管的负极与所述第一电容的第一端连接；

所述负载的第一端与所述第三电容的第一端连接，所述负载的第二端接地。

2.如权利要求1所述的半桥逆变电路，其特征在于，所述半桥逆变电路还包括第三开关管；其中，

所述第三开关管的第一端与所述第一电容的第一端连接，所述第三开关管的第二端连接外接控制器，所述第三开关管的第三端与所述第一电感的第二端连接。

3.如权利要求1所述的半桥逆变电路，其特征在于，所述半桥逆变电路还包括第四开关管；其中，

所述第四开关管的第一端与所述第一开关管的第三端连接，所述第四开关管的第二端连接外接控制器，所述第四开关管的第三端与所述第一二极管的正极连接。

4.如权利要求1所述的半桥逆变电路，其特征在于，所述半桥逆变电路还包括第三二极管；其中，

所述第三二极管的正极与所述第二电容的第二端连接，所述第三二极管的负极与所述第一电感的第二端连接。

5.如权利要求1所述的半桥逆变电路，其特征在于，所述半桥逆变电路还包括第四二极管；其中，

所述第四二极管的正极与所述第二电感的第一端连接，所述第四二极管的负极与所述第一电容的第一端连接。

6.如权利要求1所述的半桥逆变电路，其特征在于，所述第一开关管为N沟道MOS管，所述第一开关管的第一端为所述N沟道MOS管的漏极，所述第一开关管的第二端为所述N沟道MOS管的栅极，所述第一开关管的第三端为所述N沟道MOS管的源极。

7.如权利要求1所述的半桥逆变电路，其特征在于，所述第二开关管为N沟道MOS管，所述第二开关管的第一端为所述N沟道MOS管的漏极，所述第二开关管的第二端为所述N沟道MOS管的栅极，所述第二开关管的第三端为所述N沟道MOS管的源极。

8.如权利要求2所述的半桥逆变电路，其特征在于，所述第三开关管为N沟道MOS管，所述第三开关管的第一端为所述N沟道MOS管的漏极，所述第三开关管的第二端为所述N沟道MOS管的漏极，所述第三开关管的第三端为所述N沟道MOS管的源极。

9.如权利要求3所述的半桥逆变电路，其特征在于，所述第四开关管为N沟道MOS管，所述第四开关管的第一端为所述N沟道MOS管的漏极，所述第四开关管的第二端为所述N沟道MOS管的栅极，所述第四开关管的第三端为所述N沟道MOS管的源极。

10.一种电子设备，其特征在于，包括上述权利要求1至9中任一项所述的半桥逆变电路。