[发明专利]一种适用于宽摆幅全差分运算放大器的共模反馈电路有效
申请号: | 202010332805.1 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111464139B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 宁宁;孟昊;田明;邓恒;张启辉;李靖;于奇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F3/45 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 宽摆幅全差分 运算放大器 反馈 电路 | ||
1.一种适用于宽摆幅全差分运算放大器的共模反馈电路,所述宽摆幅全差分运算放大器为包括多级放大结构和源随器构成的输出级,所述共模反馈电路包括共模信号采集模块、共模放大模块、共模反馈模块和电流偏置模块;
所述共模信号采集模块包括第一电阻、第一电容、第二电阻和第二电容,第一电阻和第一电容并联后接在所述宽摆幅全差分运算放大器的正向输出端和所述共模信号采集模块的输出端之间,第二电阻和第二电容并联后接在所述宽摆幅全差分运算放大器的负向输出端和所述共模信号采集模块的输出端之间;
所述共模放大模块包括第一NMOS管和第二NMOS管,第一NMOS管的栅极连接所述共模信号采集模块的输出端,其源极连接第二NMOS管的源极和所述电流偏置模块的输出端,其漏极作为所述共模放大模块的第一输出端;第二NMOS管的栅极连接共模参考电压,其漏极作为所述共模放大模块的第二输出端;
所述共模反馈模块包括第一PMOS管,第一PMOS管的栅漏短接并连接所述共模放大模块的第一输出端和所述宽摆幅全差分运算放大器中第一级放大结构的负载电流管栅极,其源极连接电源电压;
其特征在于,所述共模反馈电路还包括共模前馈模块,所述共模前馈模块包括第二PMOS管,第二PMOS管的栅漏短接并连接所述共模放大模块的第二输出端和所述宽摆幅全差分运算放大器输出级中源随器的电流源管栅极,其源极连接电源电压。
2.根据权利要求1所述的适用于宽摆幅全差分运算放大器的共模反馈电路,其特征在于,所述电流偏置模块包括第三NMOS管,第三NMOS管的栅极连接偏置电压,其漏极作为所述电流偏置模块的输出端,其源极接地。
3.根据权利要求1或2所述的适用于宽摆幅全差分运算放大器的共模反馈电路,其特征在于,所述宽摆幅全差分运算放大器包括两级放大结构,其中第一级放大结构包括第三PMOS管、第四PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管,
第四NMOS管的栅极作为所述宽摆幅全差分运算放大器的正向输入端,其漏极连接第三PMOS管的漏极并作为所述第一级放大结构的第一输出端连接第二级放大结构的第一输入端,其源极连接第五NMOS管的源极和第六NMOS管的漏极;
第五NMOS管的栅极作为所述宽摆幅全差分运算放大器的负向输入端,其漏极连接第四PMOS管的漏极并作为所述第一级放大结构的第二输出端连接第二级放大结构的第二输入端;
第六NMOS管的栅极连接偏置电压,其源极接地;
第三PMOS管和第四PMOS管是所述宽摆幅全差分运算放大器中第一级放大结构的负载电流管,第三PMOS管和第四PMOS管的栅极均连接所述共模反馈模块中第一PMOS管的漏极,其源极均连接电源电压。
4.根据权利要求3所述的适用于宽摆幅全差分运算放大器的共模反馈电路,其特征在于,所述宽摆幅全差分运算放大器的输出级包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管,
第五PMOS管的栅极连接所述第二级放大结构的第一输出端,其源极连接第七PMOS管的漏极并作为所述宽摆幅全差分运算放大器的正向输出端,其漏极连接第六PMOS管的漏极并接地;
第六PMOS管的栅极连接所述第二级放大结构的第二输出端,其源极连接第八PMOS管的漏极并作为所述宽摆幅全差分运算放大器的负向输出端;
第七PMOS管和第八PMOS管是所述宽摆幅全差分运算放大器输出级中源随器的电流源管,第七PMOS管和第八PMOS管的栅极均连接所述共模前馈模块中第二PMOS管的漏极,其源极均连接电源电压。
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