[发明专利]一种新型双通路小型化半导体浪涌防护器件及其制造方法

权利要求书

1.一种新型双通路小型化浪涌防护器件，包括半导体芯片、金属电极和包覆器件的塑封体，其特征在于，

在半导体芯片正面有半导体芯片金属焊接区PAD一、二，下方有铜框架基岛；

二金属铜电极一、二分别连接在金属焊接区PAD一、二上；

在二金属铜电极一、二和铜框架基岛底面分别引出金属引脚。

本发明不但小型化，而且可以单颗器件在应用电路中实现共模和差模防护。

2.根据权利要求1所述的新型双通路小型化浪涌防护器件，其特征在于：在半导体芯片正面通过包括却不限于铜丝键合植球，电镀方式与铜金属电极相连。

3.一种根据权利要求1或2所述新型双通路小型化浪涌防护器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

步骤A：将半导体芯片背面和铜框架基岛焊接；

步骤B：在步骤A后，在半导体芯片正面与铜金属电极相连；

步骤C：对步骤B结构使用环氧树脂塑封料进行塑封；

步骤D：对半导体芯片背面的铜框架基岛和正面的铜金属电极进行包括研磨、电镀、蒸发工序，进行电极引脚连接，得到新型双通路小型化浪涌防护器件。