[发明专利]基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法

权利要求书

1.一种基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法；其特征在于，至少包括如下步骤：

S1、对晶圆进行脱水烘焙；

S2、在晶圆上旋涂HSQ光刻胶后进行前烘；

S3、电子束曝光；利用HSQ为负性光刻胶的特性，绘制mark曝光版图，利用JEOL JBX-9500FS设备10na束流曝光的时间小于5min，完成对绘制版图的直写后显影；

S4、高温坚膜烘焙；

S5、根据需求旋涂后续工艺所需的光刻胶，所述光刻胶包括AR-N 7520、ZEP520A、PMMA、MMA、EB200，将后续工艺版图按照步骤S3mark曝光版图建立的坐标系进行版图套刻；在电子显微镜成像时需使用背散射电子成像，然后对顶层光刻胶进行显影；进行后续蒸镀或刻蚀工艺，并去除顶层光刻胶；

S6、使用HF或氨水：过氧化氢：去离子水溶液去除HSQ mark。

2.根据权利要求1所述的基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法，其特征在于，S1中：进行脱水烘焙的衬底包含Si、第三、五族化合物、LiNbO3、LiTaO3、非铝的单质金属、多种外延的多层结构，但不含衬底结构底层和顶层含氧化硅成份的晶圆结构。

3.根据权利要求2所述的基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法，其特征在于，S2中：HSQ的厚度同后期掩膜所用光刻胶的厚度具有大于300nm的差值。

4.根据权利要求2所述的基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法，其特征在于，S3中：电子束曝光时，电子束的加速电压为100KV下，使用L-edit绘制不同线宽的mark。