[发明专利]一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法

权利要求书

1.一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法，其特征在于，所述GaN基高电子迁移率晶体管异质结包括从上到下依次排列的掩膜材料层、pGaN层、AlGaN层、GaN层和底层材料层，所述方法包括以下步骤：

步骤一.将已经打开掩膜材料层的待刻蚀样品经传送装置传送至反应离子刻蚀机的刻蚀腔，通入第一组刻蚀气体先快速刻蚀大部分pGaN层材料，第一组刻蚀气体为氯基气体、Ar、O₂和N₂中的至少一种；

步骤二.待第一组刻蚀气体刻蚀结束后，向反应离子刻蚀机的刻蚀腔中通入第二组刻蚀气体慢速刻蚀步骤一中余下部分pGaN层材料，刻蚀结束后取出样品，第二组刻蚀气体为BCl₃、SF₆和N₂，其中SF₆和N₂的体积比为1~1.2:1，BCl₃占BCl₃、SF₆和N₂混合物的50-60 vt.%。

2.根据权利要求1所述的一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法，其特征在于，所述步骤一中快速刻蚀的速率为32~48 nm/min，所述步骤二中慢速刻蚀的速率为7~13nm/min。

3.根据权利要求1所述的一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法，其特征在于，所述步骤二中刻蚀结束后取出样品，通过传送装置将样品传送至CVD腔室，在真空条件下对样品进行镀膜保护，最后将样品传出，完成刻蚀。

4.根据权利要求3所述的一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法，其特征在于，所述镀膜保护中镀膜材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化铪，镀膜厚度为1~500 nm。

5.根据权利要求1所述的一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法，其特征在于，所述步骤一中氯基气体为Cl₂，且Cl₂占比小于30 vt.%。