[发明专利]多晶圆堆叠修边方法

权利要求书

1.一种多晶圆堆叠修边方法，其特征在于，包括：

依次对第i片晶圆处理形成N片晶圆堆叠，N为大于1的自然数，2≤i≤N-1时，所述对第i片晶圆处理包括：

步骤S1：对所述第i片晶圆的正面边缘区域修边，所述第i片晶圆修边后呈凸台状，包括基底部和从所述基底部延伸出的凸起部；所述凸起部与所述基底部形成第i片晶圆的顶部台阶；

步骤S2：将所述第i片晶圆的所述凸起部面向第i-1片晶圆键合；

步骤S3：对键合后的所述第i片晶圆的背面减薄，减薄的厚度至少为所述第i片晶圆修边后所述边缘区域剩余的厚度；

步骤S4：对背面减薄后的所述第i片晶圆的边缘区域修边，厚度方向上修边至第1片晶圆以形成第i片晶圆的底部台阶，在垂直于厚度方向上修边宽度不大于背面减薄后的第2片晶圆的边缘修边宽度，以形成堆叠设置的具有底部台阶的i片晶圆；

步骤S5：在所述第i片晶圆的底部台阶填充底部填充层形成堆叠的i片晶圆，所述底部填充层顶面不低于所述第i片晶圆顶面；

其中，步骤S2中，i≥3时，所述第i片晶圆的所述凸起部所在的层的投影全部落在堆叠的i-1片晶圆所在的层上。

2.如权利要求1所述的多晶圆堆叠修边方法，其特征在于，

所述步骤S5还包括，填充底部填充层后通过修边去除部分宽度的所述底部填充层边缘。

3.如权利要求1所述的多晶圆堆叠修边方法，其特征在于，

对第i片晶圆处理还包括：

步骤S11：对第i片晶圆执行步骤S1后、执行步骤S2之前，在所述第i片晶圆的顶部台阶填充顶部填充层，所述顶部填充层顶面不低于所述第i片晶圆的所述凸起部的顶面。

4.如权利要求3所述的多晶圆堆叠修边方法，其特征在于，所述步骤S11还包括，填充顶部填充层后通过修边去除部分宽度的所述顶部填充层边缘。

5.如权利要求1所述的多晶圆堆叠修边方法，其特征在于，

步骤S5中，在所述第i片晶圆的底部台阶填充底部填充层，具体包括：

旋涂所述底部填充层，所述底部填充层填充所述底部台阶并覆盖背面减薄后的所述第i片晶圆的上表面，在所述底部台阶处填充的所述底部填充层的顶面不低于背面减薄后的所述第i片晶圆的上表面；

执行化学机械研磨工艺，去除位于背面减薄后的所述第i片晶圆上方的部分厚度或全部厚度的所述底部填充层并平坦化。

6.如权利要求5所述的多晶圆堆叠修边方法，其特征在于，去除部分厚度的所述底部填充层时，步骤S2中，

所述第i片晶圆的所述凸起部与所述第i-1片晶圆上方残留的所述底部填充层接触并键合；或者在所述第i-1片晶圆上方残留的所述底部填充层上形成介质层，所述第i片晶圆的所述凸起部与所述第i-1片晶圆上方的所述介质层接触并键合。

7.如权利要求3所述的多晶圆堆叠修边方法，其特征在于，步骤S11中在所述第i片晶圆的顶部台阶填充所述顶部填充层，具体包括：

旋涂所述顶部填充层，所述顶部填充层填充所述第i片晶圆的所述顶部台阶并覆盖所述第i片晶圆的所述凸起部，在所述顶部台阶处填充的所述顶部填充层的顶面不低于所述第i片晶圆的所述凸起部的顶面；

执行化学机械研磨工艺，去除位于所述第i片晶圆的所述凸起部上方的部分厚度或全部厚度的所述顶部填充层并平坦化。

8.如权利要求3或4或7任意一项所述的多晶圆堆叠修边方法，其特征在于，所述底部填充层和/或所述顶部填充层为光敏材料层。

9.如权利要求3或4所述的多晶圆堆叠修边方法，其特征在于，步骤S2中，所述第i片晶圆的所述凸起部所在的层包括所述凸起部和环绕所述凸起部的所述顶部填充层。

10.如权利要求1所述的多晶圆堆叠修边方法，其特征在于，步骤S2中，i≥3时，所述堆叠的i-1片晶圆所在的层包括堆叠设置的具有底部台阶的i-1片晶圆和填充于第i-1片晶圆的底部台阶的底部填充层。

11.如权利要求1所述的多晶圆堆叠修边方法，其特征在于，i＝N时，对第N片晶圆处理依次执行所述步骤S1至所述步骤S4。