[发明专利]一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置及方法

权利要求书

1.一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置，其特征在于，包括装配平台(1)，装配平台(1)的一侧设置有垂直支撑杆(2)，垂直支撑杆(2)上活动连接有水平支撑杆(5)，水平支撑杆(5)的端部通过引下管导向管夹(7)连接有引下管导向管(8)，所述引下管导向管(8)上部设置单晶生长炉(16)，还包括升降平台(9)以及用于驱动升降平台(9)的升降电机(12)，升降平台(9)位于引下管导向管(8)的下侧，升降平台(9)上通过引下管支座(11)活动连接有预装铂金坩埚(14)的引下管(13)，引下管导向管(8)的外径与单晶生长炉(16)的炉膛内径相等，引下管导向管(8)的内径与引下管(13)外径相等，引下管导向管(8)的长度大于铂金坩埚(14)长度的一半。

2.根据权利要求1所述的一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置，其特征在于，装配平台(1)上设置有第一气泡水平仪(3)，水平支撑杆(5)上设置有第二气泡水平仪(4)。

3.根据权利要求1所述的一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置，其特征在于，引下管导向管(8)由两个带有子母扣的半圆管组成，两个半圆管通过引下管导向管夹(7)调节松紧。

4.根据权利要求1所述的一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置，其特征在于，水平支撑杆(5)通过水平支撑杆调整螺钉(6)与垂直支撑杆(2)连接，通过调节水平支撑杆调整螺钉(6)能够使水平支撑杆(5)在垂直支撑杆(2)上水平以及上下移动。

5.根据权利要求1所述的一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置，其特征在于，引下管(13)通过引下管支座调整螺钉(10)与引下管支座(11)连接，通过调节引下管支座调整螺钉(10)能够调整引下管(13)与引下管导向管(8)的同轴度。

6.一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的方法，采用权利要求1所述的一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将装配平台(1)及水平支撑杆(5)调整水平；

步骤二：通过引下管导向管夹(7)将引下管导向管(8)固定在水平支撑杆(5)上；

步骤三：通过调节水平支撑杆(5)的水平位置，将引下管导向管(8)与单晶生长炉(16)炉膛调节至同轴后，通过调节水平支撑杆(5)的上下位置，将引下管导向管(8)伸入单晶生长炉(16)炉膛内，然后将水平支撑杆(5)以及引下管导向管(8)固定；

步骤四：将装有铂金坩埚(14)的引下管(13)放置在升降平台(9)上，通过调节引下管(13)的水平位置将引下管(13)对准引下管导向管(8)下端，启动升降电机(12)，上升升降平台(9)，将引下管(13)伸入引下管导向管(8)中，直至将引下管(13)完全伸入引下管导向管(8)后，停止升降电机(12)；

步骤五：下降升降平台(9)直至将引下管(13)完全退出引下管导向管(8)后，将引下管导向管(8)取出；

步骤六：上升升降平台(9)，将引下管(13)重新升入单晶生长炉(16)内的生长位置，即完成引下管(13)的装配。

7.根据权利要求6所述的一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的方法，其特征在于，装配平台(1)上设置有第一气泡水平仪(3)，水平支撑杆(5)上设置有第二气泡水平仪(4)，步骤一中通过第一气泡水平仪(3)和第二气泡水平仪(4)进行调平。

8.根据权利要求6所述的一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的方法，其特征在于，水平支撑杆(5)通过水平支撑杆调整螺钉(6)与垂直支撑杆(2)连接，步骤三中通过调节水平支撑杆调整螺钉(6)使水平支撑杆(5)在垂直支撑杆(2)上水平以及上下移动。

9.根据权利要求6所述的一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的方法，其特征在于，引下管(13)通过引下管支座调整螺钉(10)与引下管支座(11)连接，步骤四中将引下管(13)伸入引下管导向管(8)中，当遇到摩擦阻碍时，通过调节引下管支座调整螺钉(10)将引下管(13)与引下管导向管(8)逐渐调节至同轴。