[发明专利]一种LED芯片及其制造方法

说明书

公开了一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括：衬底；第一LED结构和第二LED结构，第一LED结构和第二LED结构共用衬底。本发明的LED芯片包括第一LED结构和第二LED结构，第一LED结构和第二LED结构共用衬底，第一LED结构的第一外延层和第二LED结构的第二外延层可分别或同时控制发光，提高了LED芯片的发光亮度和发光均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种LED芯片及其制造方法。

背景技术

自从20世纪90年代初商业化以来，经过二十几年的发展，LED已被广泛应用于户内外显示屏、投影显示用照明光源、背光源、景观亮化照明、广告、交通指示等领域，并被誉为二十一世纪最有竞争力的新一代固体光源。然而，对于LED来说，要代替传统光源进入高端照明领域，其发光亮度和发光均匀性的提高是至关重要的。

现有的LED芯片形成步骤包括：在衬底上生长一个发光外延层，在发光外延层上做正负电极，正负极通电后发光外延层发出光子。这种单个发光外延层的LED芯片通常作为单向发光源实现全周360°发光，发光亮度相对较低。另外，现有的LED芯片具有五个发光面，在使用过程中LED芯片的固定支架限制了LED芯片的发光面，导致LED芯片在垂直方向上发光亮度较高，在侧壁水平方向上发光亮度较弱，发光不均匀，不适用于对水平方向的发光亮度有要求的背光领域。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括第一LED结构和第二LED结构，第一LED结构和第二LED结构共用衬底，第一LED结构的第一外延层和第二LED结构的第二外延层可分别或同时控制发光，提高了LED芯片的发光亮度和发光均匀性，扩大了LED芯片的应用范围。

根据本发明的第一方面，提供一种LED芯片，包括：

衬底；

第一LED结构和第二LED结构，所述第一LED结构和第二LED结构共用所述衬底。

进一步地，所述第一LED结构包括：

位于所述衬底的第一表面上的第一外延层，所述第一外延层包括由下向上依次设置的第一半导体层、第一发光层和第二半导体层；

第一PN台阶，位于所述第一外延层中，所述第一PN台阶的第一上台阶面为所述第二半导体层，第一下台阶面为所述第一半导体层，所述第一上台阶面和所述第一下台阶面之间连接形成第一PN台阶侧面；

第一电流扩展层，位于所述第二半导体层上，覆盖部分所述第二半导体层；

第一电极，位于所述第一半导体层上，与所述第一半导体层电连接；

第二电极，与所述第一电极彼此隔离，位于所述第一电流扩展层上，通过所述第一电流扩展层与所述第二半导体层电连接；

所述第二LED结构包括：

位于所述衬底的第二表面上的第二外延层，所述第二外延层包括由上向下依次设置的第三半导体层、第二发光层和第四半导体层；

第二PN台阶，位于所述第二外延层中，所述第二PN台阶的第二上台阶面为所述第三半导体层，第二下台阶面为所述第四半导体层，所述第二上台阶面和所述第二下台阶面之间连接形成第二PN台阶侧面；

第二电流扩展层，位于所述第四半导体层下，覆盖部分所述第四半导体层；

第三电极，位于所述第三半导体层下，与所述第三半导体层电连接；

第四电极，与所述第三电极彼此隔离，位于所述第二电流扩展层下，通过所述第二电流扩展层与所述第四半导体层电连接。