[发明专利]一种二氧化硅薄膜的蚀刻液有效
| 申请号： | 202010334995.0 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111471463B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张庭;贺兆波;郝晓斌;王书萍;万杨阳;李鑫;景继磊 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;H01L21/311 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 薄膜 蚀刻 | ||
【权利要求书】：
1.一种二氧化硅薄膜的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液为2wt%氢氟酸、19wt%氟化铵、0.06wt%异辛胺、0.005wt%衣康酸、0.1wt%亚甲基二萘磺酸钠、78.835wt%H2O。
2.一种二氧化硅薄膜的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液为1wt%氢氟酸、20wt%氟化铵、0.08wt%异辛胺、0.007wt%癸二酸、0.2wt%苄基萘磺酸钠、78.713wt%H2O。
3.一种二氧化硅薄膜的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液为2.5wt%氢氟酸、19wt%氟化铵、0.09wt%二乙醇胺、0.006wt%衣康酸、0.2wt%烷基萘磺酸钠、78.204wt%H2O。
4.一种二氧化硅薄膜的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液为2wt%氢氟酸、19wt%氟化铵、0.08wt%异辛胺、0.003wt%衣康酸、0.15wt%苄基萘磺酸钠、78.767wt%H2O。
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