[发明专利]最小死区三维沟槽电极硅探测器

权利要求书

1.最小死区三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，其探测单元包括长方体状的探测基体(4)，所述探测基体(4)从上到下刻蚀有井字形电极(1)，所述探测基体(4)从下到上刻蚀有多边形电极(3)，所述井字形电极(1)底部与多边形电极(3)顶部抵靠，所述探测基体(4)横截面的中间、四条侧边的中间和四个角均设有柱状电极(2)，所述柱状电极(2)贯穿探测基体(4)上下表面，所述井字形电极(1)和探测基体(4)中间的柱状电极(2)同轴，所述井字形电极(1)顶部和柱状电极(2)顶部均附着有铝电极层，所述铝电极层之间的探测基体(4)上附着有二氧化硅绝缘层，所述探测基体(4)底部、多边形电极(3)底部和柱状电极(2)底部均设有二氧化硅保护层；

所述多边形电极(3)包括四个横截面呈U形的连接部(3-2)，所述四个连接部(3-2)开口朝内呈环形分布，所述四个连接部(3-2)的开口处通过直线部(3-1)连接形成多边形，所述多边形与探测基体(4)中间的柱状电极(2)同轴，所述四个连接部(3-2)的闭口处均设有两个朝向探测基体(4)侧边的延伸部(3-3)，所述直线部(3-1)、延伸部(3-3)均与井字形电极(1)的延伸线重合。

2.根据权利要求1所述的最小死区三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述探测基体(4)为p型轻掺杂，所述井字形电极(1)和多边形电极(3)为n型重掺杂，所述柱状电极(2)为p型重掺杂。

3.根据权利要求1所述的最小死区三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述柱状电极(2)与井字形电极(1)的垂直距离为30～50μm。

4.根据权利要求1所述的最小死区三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述探测单元的尺寸为长180μm×宽180μm×高300μm，所述井字形电极(1)和多边形电极(3)的宽度均为10μm，所述探测基体(4)中间的柱状电极(2)的横截面为10μm×10μm的正方形，所述探测基体(4)侧边的柱状电极(2)横截面为10μm×5μm的长方形，所述探测基体(4)四角的柱状电极(2)横截面为5μm×5μm的正方形，所述铝电极层、二氧化硅绝缘层和二氧化硅保护层的厚度均为1μm。

5.根据权利要求1所述的最小死区三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述井字形电极(1)和多边形电极(3)的高度比为9：1。