[发明专利]基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器有效
申请号: | 202010335035.6 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111416536B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 马辉;郑凯通;鲁海鹏 | 申请(专利权)人: | 三峡大学 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217;H02M1/32;H02M1/42 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 吴思高 |
地址: | 443002 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 双向 插入 单相 升压 无桥五 电平 整流器 | ||
1.基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器,其特征在于包括:
双耦合磁绕组N1、双耦合磁绕组N2、电容C1、电容C2、开关管Q1~Q4、二极管D1~D8;
交流电源Ug的一端、二极管D1的阴极、双耦合磁绕组N1的一端,共同连接于结点c;
交流电源Ug的另一端、二极管D2的阴极、双耦合磁绕组N2的一端,共同连接于结点d;
双耦合磁绕组N1的另一端、二极管D3的阳极、开关管Q1的集电极,共同连接于结点a;
双耦合磁绕组N2的另一端、二极管D4的阳极,共同连接于结点b;
二极管D3的阴极、二极管D5的阴极,共同连接于结点e;
二极管D4的阴极、二极管D5的阳极、开关管Q2的集电极、开关管Q3的发射极、开关管Q4的集电极,共同连接于结点f;
二极管D1的阳极、二极管D2的阳极、二极管D8的阴极、开关管Q1的发射极、开关管Q2的发射极,共同连接于结点g;
开关管Q3的集电极与二极管D6的阴极相连;
开关管Q4的发射极与二极管D7的阳极相连;
电容C1的正极、负载R的一端,共同连接于结点m,所述结点m与结点e相连;
电容C1的负极、电容C2的正极、二极管D6的阳极、二极管D7的阴极,共同连接于结点o;
电容C2的负极、二极管D8的阳极、负载R的另一端,共同连接于结点n;
结点f、结点o共同构成双向管插入式结构。
2.根据权利要求1所述基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器,其特征在于:所述双耦合磁绕组N1包括绕组N11、绕组N12,绕组N11、N21采用共芯同向绕制,其电感L1;
双耦合磁绕组N2包括绕组N21、绕组N22;绕组N12、N22采用共芯反向绕制,其电感L2;
双耦合磁绕组N1、N2材质相同,磁芯匹配,构成两个等值电感。
3.根据权利要求1所述基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器,其特征在于:二极管D1、D2为低频二极管,二极管D3~D8为快恢复二极管,二极管D4、D8用于电压钳位,保证功率单向流通。
4.根据权利要求1所述基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器,其特征在于:开关管Q1~Q4均为无体二极管的N沟道绝缘栅双极晶体管N-IGBT。
5.根据权利要求1所述基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器,其特征在于:电容C1、C2均为容值相等的电解电容。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三峡大学,未经三峡大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010335035.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种三模态混合单相五电平整流器
- 下一篇:电子设备