[发明专利]用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路

权利要求书

1.一种用于对非易失性存储器(NVM)进行编程的方法，所述非易失性存储器(NVM)包括以存储器字的行和列组织的存储器平面，每个存储器字包括存储器单元，并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管，所述方法包括：

在编程阶段期间，通过向不属于所选择的存储器字的所述存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压，对所述所选择的存储器字进行编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中每个存储器单元还包括与所述状态晶体管串联的存取晶体管，所述存取晶体管被连接到相应位线，并且其中同一行的所述存取晶体管的栅极被耦合到字线，所述方法包括：

在所述编程阶段期间，向所选择的存储器单元的位线以外的位线以及未选择的行的字线施加所述第一非零正电压。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

选择所选择的行的字线电压，使得所述存取晶体管能够通过非零正编程电压；以及

利用所述非零正编程电压对所述所选择的存储器单元进行编程，

其中未选择的存储器单元的所述位线上的所述第一非零正电压足够高，使得栅极-漏极电压不会使所述存取晶体管劣化。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述非零编程电压为11V，其中所述字线电压为14V，并且其中所述第一非零正电压为4V。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述编程阶段期间，向源极平面或源极线施加源极电压，其中所述源极电压等于所述第一非零正电压，并且其中所述存储器平面包括：耦合到所述状态晶体管的源极区域的所述源极平面或所述源极线。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一非零正电压在3伏与5伏之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述编程是所选择的存储器单元的分压编程，其中所述分压编程包括：向所述所选择的存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加非零负编程电压，并且向所述所选择的存储器单元的所述状态晶体管的漏极区域施加非零正编程电压。

8.一种非易失性存储器(NVM)集成电路，包括：

存储器平面，被组织为存储器字的行和列，每个存储器字包括存储器单元，并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管；以及

写入电路装置，被配置为：在编程阶段期间，通过向不属于所选择的存储器字的所述存储器单元的所述状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压，对所述所选择的存储器字进行编程。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中每个存储器单元还包括与所述状态晶体管串联的存取晶体管，所述存取晶体管被连接到相应位线，其中同一行的存取晶体管的栅极被耦合到字线，并且其中所述集成电路的所述写入电路被配置为：在所述编程阶段期间，向所选择的存储器单元的位线以外的位线以及未选择的行的字线施加所述第一非零正电压。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述写入电路被配置为：

向非零正编程电压提供用于对所述所选择的存储器单元进行编程的电势；

向所选择的行的字线电压提供允许所述选择晶体管通过所述非零正编程电压的电势；以及

向未选择的存储器单元的所述位线提供所述第一非零正电压，使得栅极-漏极电压不会使所述存取晶体管劣化。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述非零编程电压是11V，其中所述字线电压是14V，并且其中所述第一非零正电压是4V。

12.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述存储器平面包括链接到所述状态晶体管的源极区域的源极平面或源极线，其中所述写入电路装置被配置为：在所述编程阶段期间，向所述源极平面或所述源极线提供所述第一非零正电压。