[发明专利]一种滤波装置、一种射频前端装置及一种无线通信装置

权利要求书

1.一种滤波装置，其特征在于，包括：

基底、无源装置及至少一个谐振装置；

其中，所述无源装置包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述基底位于所述第一侧，所述至少一个谐振装置位于所述第二侧；

所述至少一个谐振装置和所述无源装置位于一个晶片中；

所述至少一个谐振装置与所述无源装置通过所述滤波装置内部的通孔电连接；

所述至少一个谐振装置包括第一谐振装置；其中，所述第一谐振装置包括：第一中间层，所述第一中间层包括第三侧及所述第三侧相对的第四侧，所述无源装置位于所述第三侧；所述第一中间层还包括位于所述第四侧的第一空腔；

所述至少一个谐振装置包括第二谐振装置；其中，所述第二谐振装置包括：第二中间层，所述第二中间层包括第五侧及所述第五侧相对的第六侧，所述无源装置位于所述第五侧；所述第二谐振装置还包括：第五压电层，位于所述第六侧，位于所述第二中间层上；第九电极层，位于所述第五压电层上；其中，所述第二中间层和所述第九电极层分别位于所述第五压电层的两侧。

2.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述无源装置包括以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。

3.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述无源装置包括集成无源装置，其中，所述集成无源装置通过半导体工艺形成。

4.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述至少一个谐振装置包括以下至少之一：表声波谐振装置、体声波谐振装置。

5.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述至少一个谐振装置与所述无源装置电连接。

6.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第一中间层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。

7.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第一电极层，所述第一电极层的至少一端位于所述第一空腔内；第一压电层，位于所述第四侧，位于所述第一电极层上；其中，所述第一压电层为平层，至少覆盖所述第一空腔；以及第二电极层，位于所述第一压电层上；其中，所述第一电极层和所述第二电极层分别位于所述第一压电层两侧。

8.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第三电极层，位于所述第一空腔上，覆盖所述第一空腔；第二压电层，位于所述第四侧，位于所述第一中间层上方，至少覆盖所述第三电极层；以及第四电极层，位于所述第二压电层上；其中，所述第三电极层和所述第四电极层分别位于所述第二压电层两侧。

9.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第一反射层，位于所述第四侧，位于所述第一中间层上；其中，所述第一反射层的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形。

10.如权利要求9所述的滤波装置，其特征在于，所述第一反射层包括第二空腔。

11.如权利要求9所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第一有源层，位于所述第一中间层上，覆盖所述第一反射层；其中，所述第一有源层包括：第三压电层及分别位于所述第三压电层两侧的第五电极层和第六电极层。

12.如权利要求11所述的滤波装置，其特征在于，所述第五电极层包括第一突起部，位于所述第一反射层上；其中，所述第一突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形。

13.如权利要求12所述的滤波装置，其特征在于，所述第三压电层包括第二突起部，位于所述第一突起部上方；其中，所述第二突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形。