[发明专利]一种优化MEEF的光学邻近修正方法

权利要求书

1.一种优化MEEF的光学邻近修正方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、将原始版图进行OPC修正，截取OPC修正后MEEF超出阈值的版图部分；

步骤二、对截取的所述版图部分进行pxOPC修正，得到掩模板图形；

步骤三、根据所述掩模板图形对相应的所述原始版图部分进行预先修正处理，得到预处理目标层；所述掩模板图形对相应的所述原始版图部分进行预先修正处理的方法包括：根据所述掩模板图形，挑选出MEEF值符合或接近阈值的掩模板图形部分，以其分段结果为参考对原始版图中的相应部分进行预先修正处理，得到所述预处理目标层；所述原始版图部分进行预先修正处理的方法为：对所述原始版图部分的边依次进行分段和位移；

步骤四、将所述预处理目标层进行基于规则和模型的OPC修正，得到最终符合OPC要求的掩模板图层。

2.根据权利要求1所述的优化MEEF的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤一中截取的所述版图部分为包含高MEEF结构的OPC目标层，该OPC目标层是为工艺补偿采用基于规则的方式进行OPC修正得到的中间层。

3.根据权利要求1所述的优化MEEF的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤二中通过Calibre软件的pxOPC工具对截取的所述版图部分进行所述pxOPC修正，得到所述掩模板图形。

4.根据权利要求3所述的优化MEEF的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤二中对截取的所述版图部分进行pxOPC修正过程中，通过设置掩模板的分段、掩模板的最小间距及修正循环次数的参数来调整pxOPC的修正结果。

5.根据权利要求1所述的优化MEEF的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤三中挑选出的所述掩模板图形部分的MEEF与期望阈值相差为0～4nm。

6.根据权利要求1所述的优化MEEF的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤三中对所述原始版图部分的边进行分段的长度满足掩模版制造工艺的要求。

7.根据权利要求1所述的优化MEEF的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤三中对所述原始版图部分的边进行的移动方向包括向该边所在图形内部移动或向该边所在图形外部移动。

8.根据权利要求1所述的优化MEEF的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤三中对所述原始版图部分的边进行的移动的范围为-2～2nm。

9.根据权利要求2所述的优化MEEF的光学邻近修正方法，其特征在于：步骤四中，将所述预处理目标层进行基于规则和模型的OPC修正，使所述掩模板图层经仿真得到的模拟图形与所述OPC目标层的规格基本匹配或差异符合OPC误差要求。