[发明专利]一种通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法在审
| 申请号： | 202010336959.8 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111524790A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈军军;郑凯仁;朱华君;刘厥扬;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 温湿 氧化 改善 硅片 可回收 工艺 方法 | ||
1.一种通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供待回收的硅片，所述硅片上存在SiCN膜层；
步骤二、将所述硅片置于高温湿氧环境中进行热氧化处理，直至所述SiCN膜层被完全氧化为SiOCN为止；
步骤三、利用酸洗的湿法刻蚀工艺将所述硅片上的SiOCN去除。
2.根据权利要求1所述的通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法，其特征在于：步骤一中所述SiCN膜层存在于所述待回收的硅片的正反两面。
3.根据权利要求1所述的通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法，其特征在于：步骤二中所述高温湿氧环境的温度为980℃。
4.根据权利要求1所述的通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法，其特征在于：步骤二中所述高温湿氧环境中包含水蒸气和氧气成分。
5.根据权利要求4所述的通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法，其特征在于：步骤二中所述水蒸气和氧气的体积比为：H2O:O2＝2:1。
6.根据权利要求1所述的通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法，其特征在于：步骤一中的所述SiCN膜层厚度为100A。
7.根据权利要求6所述的通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法，其特征在于：步骤二中对所述硅片进行热氧化处理的时间60min。
8.根据权利要求1所述的通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法，其特征在于：步骤三中利用氢氟酸进行湿法刻蚀将所述SiOCN去除。
9.根据权利要求8所述的通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法，其特征在于：步骤三中使用的氢氟酸，其H2O与HF的配比为1:1～10:1。
10.根据权利要求1所述的通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法，其特征在于：
步骤三中利用浓磷酸进行湿法刻蚀将所述SiOCN去除。
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