[发明专利]磁隧道结参考层、磁隧道结以及磁随机存储器在审
| 申请号： | 202010337131.4 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111640858A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;程厚义;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隧道 参考 以及 随机 存储器 | ||
1.一种磁隧道结参考层，其特征在于，包括：
反铁磁结构层，包括多个堆叠的金属磁性层单元，每个金属磁性层单元包括一间隔层和位于所述间隔层一侧表面上的一磁性层。
2.根据权利要求1所述的磁隧道结参考层，其特征在于，还包括：
第一氧化物势垒层，位于所述反铁磁结构层的一侧表面上；
第二氧化物势垒层，位于所述反铁磁结构层背离所述第一氧化物势垒层的一侧表面上；以及
第一缓冲层，位于第二氧化物势垒层背离所述反铁磁结构层的一侧表面上。
3.根据权利要求2所述的磁隧道结参考层，其特征在于，还包括：
第二缓冲层，位于所述第一缓冲层背离所述第二氧化物势垒层的一侧表面上；和
基底，位于所述第二缓冲层背离所述第一缓冲层的一侧表面上。
4.根据权利要求2所述的磁隧道结参考层，其特征在于，还包括：
保护层，位于所述第一氧化物势垒层背离所述反铁磁结构层的一侧表面上。
5.根据权利要求2所述的磁隧道结参考层，其特征在于，所述第一缓冲层和/或所述间隔层包括：钽、钨、钼、铬、铌、钌中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的磁隧道结参考层，其特征在于，所述磁性层包括CoFeB、CoFe、FeB、Co、Fe以及Heusler合金中的至少一种。
7.根据权利要求2所述的磁隧道结参考层，其特征在于，所述第一氧化物势垒层和所述第二氧化物势垒层包括：镁氧化物、铝氧化物、镁铝氧化物、铪氧化物以及钽氧化物中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的磁隧道结参考层，其特征在于，所述间隔层的厚度范围为0.1-1nm。
9.一种磁隧道结，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一项所述的磁隧道结参考层。
10.一种磁随机存储器，其特征在于，包括多个存储单元，每个存储单元包括如权利要求9所述的磁隧道结。
11.一种自旋阀，其特征在于，包括：第一磁性层，非磁性中间层，第二磁性层和反铁磁结构层，所述包括多个堆叠的金属磁性层单元，每个金属磁性层单元包括一间隔层和位于所述间隔层一侧表面上的一磁性层。
12.一种赛道存储器，其特征在于，包括：
反铁磁结构层，包括多个堆叠的金属磁性层单元，每个金属磁性层单元包括一间隔层和位于所述间隔层一侧表面上的一磁性层；
重金属层，位于所述反铁磁结构层的一侧表面。
13.一种斯格明子器件，其特征在于，包括：反铁磁结构层，包括多个堆叠的金属磁性层单元，每个金属磁性层单元包括一间隔层和位于所述间隔层一侧表面上的一磁性层。
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