[发明专利]一种快速制备NiSn4

权利要求书

1.一种快速制备NiSn₄单晶相的方法，其特征是：使用单晶Ni片作为焊盘，与Sn基钎料在220~260°C回流，即可制备得到NiSn₄单晶相；

所述回流是指：将所述单晶Ni片加热到回流温度，然后将所述Sn基钎料放置在所述单晶Ni片上进行回流，回流时间为3min~3h；

所述单晶Ni片的缺陷率占比不大于2%；表面晶界数量占比不超过1%；

所述单晶Ni片的厚度不小于1mm；

所述Sn基钎料为纯Sn即Sn含量不小于99.99wt%的钎料，或为含Ni、Ag、Cu和Zn元素且Ni含量不大于0.1wt%、Ag含量不大于3.5wt%、Cu含量不大于3.5wt%、Zn含量不大于0.8wt%的Sn基钎料；

所述回流后，还放置在硝酸酒精溶液中，并经超声波震动，去除顶层Sn基钎料，剩余单晶Ni片以及界面处生成的NiSn₄单晶相；进一步切割分离剩余单晶Ni片以及界面处生成的NiSn₄单晶相，获得NiSn₄单晶相；

所述NiSn₄单晶相厚度≥3μm，面积不小于4μm²；

所述NiSn₄单晶相的形状为大片板状；

所述NiSn₄单晶相是沿着001方向生长的化合物；

所述NiSn₄单晶相是在界面生成的是扁平状。

2.根据权利要求1所述的一种快速制备NiSn₄单晶相的方法，其特征在于，所述回流前，对所述单晶Ni片进行表面预处理，即用金相砂纸对材料表面区域进行打磨，去除表面氧化物及杂质，将样品置于丙酮溶液中，经超声波清洗干净后取出并用蒸馏水冲洗和吹干。

3.根据权利要求1所述的一种快速制备NiSn₄单晶相的方法，其特征在于，所述回流温度使用熔锡炉的预热平台控制。

4.根据权利要求1所述的一种快速制备NiSn₄单晶相的方法，其特征在于，硝酸酒精溶液为容积比5~10%的硝酸酒精溶液。

5.根据权利要求1所述的一种快速制备NiSn₄单晶相的方法，其特征在于，所述NiSn₄单晶相能作为电子微连接中的扩散阻挡层，提高电子封装中互连结构的电迁移可靠性，其互连结构抗电迁移性能比传统的无阻挡层寿命提升100倍以上。