[发明专利]氧化铪薄膜沉积方法

权利要求书

1.一种氧化铪薄膜沉积方法，其特征在于，包括：

加热步骤，对晶片进行加热，以去除所述晶片表面上的杂质；

磁控溅射步骤，采用脉冲直流电源并以磁控溅射方法在所述晶片上沉积形成氧化铪薄膜；

冷却步骤，对沉积有所述氧化铪薄膜的所述晶片进行冷却。

2.根据权利要求1所述的氧化铪薄膜沉积方法，其特征在于，所述磁控溅射步骤包括：

向反应腔室内通入预定流量比的氧气和惰性气体，且保持所述流量比不变；

在经过预定时长之后，开启脉冲直流电源，所述脉冲直流电源以预定频率、预定占空比向铪靶材施加溅射功率。

3.根据权利要求2所述的氧化铪薄膜沉积方法，其特征在于，所述氧气与所述惰性气体的所述预定流量比的取值范围为1:1～2.5:1。

4.根据权利要求2所述的氧化铪薄膜沉积方法，其特征在于，所述磁控溅射步骤中，自所述反应腔室的顶部或侧部通入所述惰性气体；同时，自基座向所述基座与所述晶片之间的间隙通入所述惰性气体，以能够对所述晶片进行冷却。

5.根据权利要求2所述的氧化铪薄膜沉积方法，其特征在于，所述预定时长为40s-60s。

6.根据权利要求2所述的氧化铪薄膜沉积方法，其特征在于，所述脉冲直流电源的频率取值范围为180kHz～220kHz，占空比的取值范围为8％～12％，所述溅射功率的取值范围为2kW-3kW。

7.根据权利要求1-6任一项所述的氧化铪薄膜沉积方法，其特征在于，所述加热步骤采用的加热温度的取值范围为140℃-160℃，所述加热步骤采用的加热时长为50s-60s。

8.根据权利要求1-6任一项所述的氧化铪薄膜沉积方法，其特征在于，所述加热步骤，进一步包括：

升温步骤，以第一加热功率对所述晶片进行加热；

匀热步骤，以第二加热功率对所述晶片进行加热；

循环交替执行所述升温步骤和所述匀热步骤，直至去除所述晶片表面的杂质；

其中，所述第二加热功率小于或等于所述第一加热功率的二分之一。

9.根据权利要求1-6任一项所述的氧化铪薄膜沉积方法，其特征在于，所述冷却步骤，进一步包括：

将沉积有所述氧化铪薄膜的所述晶片传输至冷却腔；

从所述冷却腔的顶部或侧部通入第一冷却气体，用以自沉积有所述氧化铪薄膜的一侧对所述晶片进行冷却；从所述冷却腔的基座通入第二冷却气体，用以自背离所述氧化铪薄膜的一侧对所述晶片进行冷却。

10.根据权利要求9所述的氧化铪薄膜沉积方法，其特征在于，所述第一冷却气体的流量的取值范围为60sccm-100sccm，所述第二冷却气体的流量的取值范围为10sccm-20sccm。