[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202010338397.0 | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN111477664A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 程磊磊 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基底;
多个像素单元,设置在所述基底一侧,每个像素单元包括一发光器件,所述发光器件包括依次设置在所述基底一侧的第一电极、发光层和第二电极;
辅助电极层,设置在所述多个像素单元背离所述基底一侧,所述辅助电极层划分为透光区和电极区,所述透光区在所述基底上的正投影至少覆盖所述发光层在所述基底上的正投影,所述透光区包括透明结构,所述电极区包括辅助电极,所述辅助电极与所述第二电极电连接;其中,
所述辅助电极的材料包括金属,所述透明结构的材料包括金属氧化物,所述金属氧化物与所述金属具有同种元素,所述金属氧化物由所述金属氧化得到。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助电极的材料包括钽,所述透明结构的材料包括钽氧化物。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述钽氧化物包括三氧化二钽或五氧化二钽中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述透明结构靠近所述多个像素单元的一侧,与所述辅助电极靠近所述多个像素单元的一侧位于同一平面。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个像素单元之间包括遮光层,所述遮光层与所述辅助电极共用结构。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:封装层,设置在所述辅助电极层背离所述基底一侧。
7.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
制作基底;
在所述基底一侧制作多个像素单元,在每个像素单元中制作一发光器件,包括制作依次设置在所述基底一侧的发光器件的第一电极、发光层和第二电极;
在所述多个像素单元背离所述基底一侧制作辅助电极层,所述辅助电极层划分为透光区和电极区,所述透光区在所述基底上的正投影至少覆盖所述发光层在所述基底上的正投影;
制作所述辅助电极层具体包括:
在所述透光区制作透明结构,在所述电极区制作辅助电极,且将所述辅助电极与所述第二电极电连接;其中,
所述辅助电极的材料包括金属,所述透明结构的材料包括金属氧化物,所述金属氧化物与所述金属具有同种元素,所述金属氧化物由所述金属氧化得到。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,在所述透光区制作透明结构,在所述电极区制作辅助电极,且将所述辅助电极与所述第二电极电连接,具体包括:
在所述多个像素单元的第二电极背离所述基底一侧涂覆所述金属;
按照所述透光区与所述电极区的位置,对所述金属进行图案化;
使所述金属对应所述透光区的部分与氧化剂反应转化为金属氧化物,以形成所述透明结构,所述金属对应所述电极区的部分作为所述辅助电极。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,按照所述透光区与所述电极区的位置,对所述金属进行图案化,具体包括:
在所述金属背离所述基底一侧涂覆光刻胶;
利用掩膜版,通过曝光显影工艺,使光刻胶仅附着在所述金属对应所述电极区的位置上。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任一所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的