[发明专利]一种具有多级相变效应的单层锌-锡-锑薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010338931.8 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111640861B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞蕊;周啸;周海涛 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;C23C14/14;C23C14/18 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 袁靖 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多级 相变 效应 单层 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有多级相变效应的单层锌-锡-锑薄膜的制备方法，其特征在于，以Zn和SnSb4为溅射靶材，在氩气环境下，在衬底上进行磁控溅射制备得到的单层Zn-Sn-Sb薄膜，所述的薄膜中Zn元素含量在40%-50%之间。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，磁控溅射时氩气的气体流量为25-35SCCM；溅射气压为0.15-0.25Pa。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，Zn和SnSb4靶材溅射时采用直流电源，溅射功率为15-25W。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，SnSb4靶材的溅射时间为20 s ~ 145s；Zn靶材的溅射时间为不超过 65 s。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的薄膜厚度为40-60nm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，Zn和SnSb4靶材的纯度均在99.999%以上；磁控溅射时真空度高于2×10-4 Pa，氩气纯度在99.999%以上。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的衬底材料包括：SiO2/Si(100)。
8.权利要求1-7任一项所述的方法制备得到的具有多级相变效应的单层锌-锡-锑薄膜。
9.权利要求8所述的具有多级相变效应的单层锌-锡-锑薄膜的应用，其特征在于，该锌-锡-锑薄膜应用在相变存储器中。
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