[发明专利]一种像素电路、硅基显示面板和显示装置有效

专利信息
申请号: 202010338999.6 申请日: 2020-04-26
公开(公告)号: CN111341263B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 刘炳麟;曾章和;吴桐 申请(专利权)人: 合肥视涯技术有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 230012 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 电路 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括像素驱动电路和像素补偿电路;

所述像素驱动电路包括驱动晶体管和有机发光元件;

所述驱动晶体管包括输出端和体端,所述输出端与所述有机发光元件的阳极连接,所述有机发光元件的阴极与阴极信号输入端子连接,用于接收所述阴极信号输入端子输入的阴极电位;所述阴极电位为固定电位,或者,所述阴极电位可调;

所述体端与所述像素补偿电路在第一节点连接,所述第一节点的电位为体端电位;

所述阴极电位Vcom、所述有机发光元件的跨压Voled和所述体端电位Vbody满足Vcom+VoledVbody

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述阴极电位可调;

所述像素补偿电路包括运算放大电路、第一晶体管、第一电阻和第二电阻;所述第二电阻阻值可调;

所述第一晶体管的输入端与所述第一电位信号输入端子连接,所述第一晶体管的输出端与所述第二电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与所述第一电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端与第二电位信号输入短端子连接,所述第一晶体管管的控制端与所述运算放大电路的输出端连接,所述运算放大电路的正向输入端与第二节点连接,所述第二节点串联设置于所述第二电阻和所述第一电阻之间,所述运算放大电路的反向输入端与所述阴极信号输入端子连接;

所述第一节点串联设置于所述第一晶体管和所述第二电阻之间。

3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述像素补偿电路还包括稳压电容;

所述稳压电容的一端与所述第一节点连接,所述稳压电容的第二端接地。

4.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管还包括输入端和控制端;

所述第一晶体管的输入端与所述驱动晶体管的输入端同层设置;所述第一晶体管的输出端与所述驱动晶体管的输出端同层设置;所述第一晶体管的控制端与所述驱动晶体管的控制端同层设置。

5.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述阴极电位Vcom、所述有机发光元件的跨压Voled、所述体端电位Vbody和所述驱动晶体管的击穿电压Vbreakdown满足:

Vcom+Voled-VbodyVbreakdown

6.一种硅基显示面板,其特征在于,包括多个权利要求1-5任一项所述的像素电路;

多个所述像素电路包括多个所述像素驱动电路和至少一个所述像素补偿电路,所述像素驱动电路与所述像素电路一一对应。

7.根据权利要求6所述的硅基显示面板,所述硅基显示面板还包括硅衬底和位于所述硅衬底一侧的N型势阱层,所述N型势阱层包括靠近所述硅衬底一侧的第一表面和远离所述硅衬底一侧的第二表面,所述第一表面具备第一离子掺杂浓度N1,所述第二表面具备第二离子掺杂程度N2,其中,|N1-N2|/N1≤10%;

多个所述像素驱动电路均位于所述N型势阱层内。

8.根据权利要求6所述的硅基显示面板,其特征在于,多个所述像素驱动电路阵列排布;

所述硅基显示面板包括多个阵列排布的像素补偿电路,所述像素补偿电路与所述像素驱动电路一一对应;或者,所述硅基显示面板包括同列设置的多个像素补偿电路,同行设置的所述像素驱动电路对应同一所述像素补偿电路;或者,所述硅基显示面板包括同行设置的多个像素补偿电路,同列设置的所述像素驱动电路对应同一所述像素补偿电路;或者,所述硅基显示面板包括一个像素补偿电路,多个阵列排布的像素驱动电路对应同一所述像素补偿电路。

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