[发明专利]一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构

权利要求书

1.一种散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，包括：

硅衬底层(1)；

高热导率介质层(2)，位于所述硅衬底层(1)的上表面；

缓冲层(3)，位于所述高热导率介质层(2)的上表面；

沟道层(4)，位于所述缓冲层(3)的上表面；

复合势垒层(5)，位于所述沟道层(4)的上表面，以构成所述散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构。

2.根据权利要求1所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述高热导率介质层(2)包括氮化铝、氮化硼、碳化硅或金刚石，厚度为20～20000nm。

3.根据权利要求1所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述缓冲层(3)包括氮化镓、铝镓氮或氮化铝，厚度为100～5000nm。

4.根据权利要求1所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述沟道层(4)为氮化镓，厚度为10～1000nm。

5.根据权利要求1所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述复合势垒层(5)包括隔离层(51)和核心势垒层(52)，其中，

所述隔离层(51)，位于所述沟道层(4)的上表面；

所述核心势垒层(52)，位于所述隔离层(51)的上表面。

6.根据权利要求1所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述复合势垒层(5)包括核心势垒层(52)和帽层(53)，其中，

所述核心势垒层(52)，位于所述沟道层(4)的上表面；

所述帽层(53)，位于所述核心势垒层(52)的上表面。

7.根据权利要求1所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述复合势垒层(5)包括隔离层(51)、核心势垒层(52)和帽层(53)，其中，

所述隔离层(51)，位于所述沟道层(4)的上表面；

所述核心势垒层(52)，位于所述隔离层(51)的上表面；

所述帽层(53)，位于所述核心势垒层(52)的上表面。

8.根据权利要求5或7任一所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述隔离层(51)为氮化铝，厚度为0.5～1.5nm。

9.根据权利要求5～7任一所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述核心势垒层(52)为铝镓氮，其中，铝的组分为0.2～0.4，厚度为10～30nm；

或者为铟铝氮，其中，铟的组分为0.1～0.2，厚度为5～30nm；

或者为氮化铝，厚度为2～10nm。

10.根据权利要求6或7任一所述的散热增强的硅基氮化镓微波器件材料结构，其特征在于，所述帽层(53)为氮化镓，厚度为1～3nm；

或者为氮化硅，厚度为1～10nm。