[发明专利]过冷却冷冻方法及冷冻装置有效
申请号: | 202010339616.7 | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN111520948B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 王屋梁;毛佳甜;何丽娜;刘畅;韩鹏 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | F25D11/00 | 分类号: | F25D11/00;F25D23/12;F25D29/00 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 519000*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冷却 冷冻 方法 装置 | ||
1.一种过冷却冷冻方法,包括:
预冷却降温阶段,将待冷冻物品降温至第一冻结点接近温度T2;
过冷却降温阶段,将待冷冻物品降温至第二冻结点温度T4;
快速冻结降温阶段,将待冷冻物品降温至低于所述第二冻结点温度T4的冷冻温度T6;
其特征在于,至少有两个相邻的降温阶段向所述待冷冻物品所在的冷冻室施加不同的能量场,相邻两个施加不同能量场的降温阶段之间设有过渡阶段,所述过渡阶段不施加能量场。
2.根据权利要求1所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,所述预冷却降温阶段和所述过冷却降温阶段之间设有第一过渡阶段,所述第一过渡阶段将待冷冻物品从所述第一冻结点接近温度T2降温至高于所述第二冻结点温度T4的第一冻结点温度T3。
3.根据权利要求2所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,所述预冷却降温阶段施加的能量场为交变磁场,所述过冷却降温阶段施加的能量场为匀强磁场。
4.根据权利要求1所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,所述过冷却降温阶段和所述快速冻结降温阶段之间设有第二过渡阶段,所述第二过渡阶段解除过冷却,使待冷冻物品从第二冻结点温度T4回升至第二冻结点接近温度T5。
5.根据权利要求4所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,所述过冷却降温阶段施加的能量场为匀强磁场,所述快速冻结降温阶段施加的能量场为交变磁场。
6.根据权利要求1至5任一项所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,所述待冷冻物品的冰晶生成带为-5℃至-1℃;其中,-1.5℃≤第一冻结点接近温度T2≤-0.5℃、-6℃≤第二冻结点温度T4≤-4℃、-7℃≤冷冻温度T6≤-5.5℃。
7.根据权利要求2所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,-2℃≤第一冻结点温度T3≤-1℃。
8.根据权利要求4所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,-1℃≤第二冻结点接近温度T5≤-0.5℃。
9.根据权利要求1至5任一项所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,所述预冷却降温阶段的运行时间为A,所述过冷却降温阶段的运行时间为C,所述快速冻结降温阶段的运行时间为E;其中,45min≤A≤120min、20min≤C≤90min、20min≤E≤60min。
10.根据权利要求2所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,所述第一过渡阶段的运行时间为B,30min≤B≤60min。
11.根据权利要求4所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,所述第二过渡阶段的运行时间为D,0.5min≤D≤2min。
12.根据权利要求1至5任一项所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,所述过冷却降温阶段和所述快速冻结降温阶段的冷量供应速度大于所述预冷却降温阶段。
13.根据权利要求1至5任一项所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,还包括:在所述快速冻结降温阶段之后进行环境降温阶段,将所述待冷冻物品所在的冷冻室降温至低于所述冷冻温度T6的储藏温度T7。
14.根据权利要求1至5任一项所述的过冷却冷冻方法,其特征在于,还包括:在所述预冷却降温阶段之前进行的环境预冷阶段,将冷冻室维持在高于所述第一冻结点接近温度T2的预冷温度T1,放入待冷冻物品后进入所述预冷却降温阶段。
15.一种冷冻装置,包括:冷冻室、检测所述冷冻室温度的第一检测器、检测所述冷冻室中待冷冻物品温度的第二检测器、向所述冷冻室内施加能量场的能量场发生装置,其特征在于,所述冷冻装置采用权利要求1至14任一项所述的过冷却冷冻方法进行物品冷冻。
16.根据权利要求15所述的冷冻装置,其特征在于,所述能量场发生装置包括:设于所述冷冻室内的赫姆霍兹线圈、与所述赫姆霍兹线圈连接的交直流交换器、与所述交直流交换器连接的控制面板,所述控制面板控制所述交直流交换器的工作状态。
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