[发明专利]光纤

说明书

本发明提供的一种光纤，从内到外依次包括芯层、缓冲包层、凹陷包层、深掺氟层、外包层及涂层，所述芯层为相对于二氧化硅的折射率差为0.37～0.5％的掺锗二氧化硅；所述缓冲包层的折射率为渐变结构，其与所述芯层接触的内界面处折射率相对于二氧化硅的折射率差为‑0.05～0.1％，与所述凹陷包层接触的外界面处折射率和所述凹陷包层的折射率相等；所述凹陷包层相对于二氧化硅的折射率差为‑0.12～‑0.2％；所述深掺氟层相对于二氧化硅的折射率差为‑0.3～‑0.5％；所述外包层为二氧化硅，所述涂层涂覆在所述外包层外。本发明的光纤具有大模场直径，抗弯曲的优点。

技术领域

本发明涉及通讯技术领域，特别是指一种光纤。

背景技术

通用光纤，可以应用于长途干线、局域网建设、FTTX到户建设等等，实现原有不同区域应用的通用替代，多场景光纤于一体，实现一种光纤兼容原来的G652单模光纤和G657单模光纤。

现有的单模光纤中，一般在长途传输、局域网建设中采用G.652光纤，成本低，前期应用多，新上建设与早期的光纤实现最大兼容，在局域网和接入网建设中，采用G657光纤，抗弯曲性能好，更能应对不同的复杂环境，但是在局域网会产生两种光纤需要对接的情况，因为两者之间的模场直径存在较大差异，例如普通G652光纤模场直径在9.2±0.5μm，而常规G657光纤模场直径在8.6±0.5，模场直径的差异造成两者之间对接带来的接续损耗较大，对线路带来不良影响。

发明内容

鉴于以上内容，有必要提供一种改进的光纤。

本发明提供的技术方案为：一种光纤，从内到外依次包括芯层、缓冲包层、凹陷包层、深掺氟层、外包层及涂层，所述芯层为相对于二氧化硅的折射率差为0.37～0.5％的掺锗二氧化硅；所述缓冲包层的折射率为渐变结构，其与所述芯层接触的内界面处折射率相对于二氧化硅的折射率差为-0.05～0.1％，与所述凹陷包层接触的外界面处折射率和所述凹陷包层的折射率相等；所述凹陷包层相对于二氧化硅的折射率差为-0.12～-0.2％；所述深掺氟层相对于二氧化硅的折射率差为-0.3～-0.5％；所述外包层为二氧化硅，所述涂层涂覆在所述外包层外。

进一步的，所述芯层的半径为4.1～4.7μm，所述缓冲包层的厚度为3～5μm；所述凹陷包层的厚度为6～10μm；所述深掺氟层的厚度为10～20μm；所述外包层的厚度为22.8～39.4μm。

进一步的，所述芯层的不圆度≤1％；所述芯层至所述外包层的整体不圆度≤0.4％。

进一步的，所述涂层的材料为聚丙烯酸酯。

进一步的，所述涂层包括内涂层和外涂层，所述内涂层的不圆度≤6％；所述外涂层的外直径为245±7μm，其不圆度≤6％。

进一步的，所述涂层包括内涂层和外涂层，所述内涂层的不圆度≤6％；所述外涂层的外直径为200±7μm，其不圆度≤6％。

进一步的，所述涂层包括内涂层和外涂层，所述内涂层的不圆度≤6％；所述外涂层的外直径为180±7μm，其不圆度≤6％。

进一步的，所述光纤在1310nm处的模场直径为8.7～9.5μm。

进一步的，光纤在半径15mm，10圈的条件下，1550nm的宏弯损耗不大于0.03dB，在1625nm处的宏弯损耗不大于0.1dB；光纤在半径10mm，1圈的条件下，1550nm的宏弯损耗不大于0.1dB，在1625nm处的宏弯损耗不大于0.2dB；光纤在半径7.5mm，1圈的条件下，1550nm的宏弯损耗不大于0.5dB，在1625nm处的宏弯损耗不大于1dB。

进一步的，光纤在温度20～30℃之内，相对湿度在40％～60％之内，光纤抗疲劳参数大于22。