[发明专利]一种显示面板、其制备方法及显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底层、位于所述衬底层上的遮光金属层、位于所述衬底层上且覆盖所述遮光金属层的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层、位于所述有源层上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的栅极、位于所述缓冲层上且覆盖所述栅极的绝缘层、位于所述绝缘层上的源极和漏极、位于所述绝缘层上且覆盖所述源极和所述漏极的钝化层、以及位于所述钝化层上的像素电极；

所述源极和所述漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层的两端相接触，所述漏极通过第三过孔与所述遮光金属层相接触，所述像素电极通过第四过孔与所述源极相接触；

其中，所述源极、所述漏极、所述栅极、以及所述遮光金属层的表面均设置有减反层，所述减反层为复合无机物薄膜结构。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的钼膜、以及位于所述钼膜上的氧化钼膜。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米，所述氧化钼膜的厚度范围为60纳米至80纳米。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的第一氧化铟锡膜、以及位于所述第一氧化铟锡膜上的钼膜。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一氧化铟锡膜的厚度范围为30纳米至50纳米，所述钼膜的厚度范围为4纳米至6纳米。

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述复合无机物薄膜结构包括铜膜、位于所述铜膜上的第二氧化铟锡膜、位于所述第二氧化铟锡膜上的钼膜、以及位于所述钼膜上的第三氧化铟锡膜。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二氧化铟锡膜的厚度范围为20纳米至40纳米，所述钼膜的厚度范围为8纳米至12纳米，所述第三氧化铟锡膜的厚度范围为40纳米至80纳米。

8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一衬底层；

在所述衬底层上制备遮光金属层；

在所述遮光金属层上制备第一减反层；

在所述衬底层上制备缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一减反层；

在所述缓冲层上制备有源层；

在所述有源层上制备栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上制备栅极；

在所述栅极上制备第二减反层；

在所述缓冲层上制备绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第二减反层；

在所述绝缘层上制备源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层的两端相接触，所述漏极通过第三过孔与所述遮光金属层相接触；

在所述源极和所述漏极上分别制备第三减反层和第四减反层，其中，所述第一减反层、所述第二减反层、所述第三减反层、以及所述第四减反层均为复合无机物薄膜结构；

在所述绝缘层上制备钝化层，所述钝化层覆盖所述第三减反层和所述第四减反层；

在所述钝化层上制备像素电极，所述像素电极通过第四过孔与所述源极相接触。

9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述复合无机物薄膜结构为铜膜/钼膜/氧化钼膜、或铜膜/第一氧化铟锡膜/钼膜、或铜膜/第二氧化铟锡膜/钼膜/第三氧化铟锡膜。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的显示面板。