[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上沉积第一金属层，采用蚀刻工艺对所述第一金属层进行图形化以形成栅极；

在所述衬底上沉积覆盖所述栅极的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上沉积金属氧化物层，在所述金属氧化物层上涂覆光阻层，并使用半色调掩膜对所述光阻层进行曝光和显影，留下第一光阻和第二光阻，所述第一光阻的厚度大于所述第二光阻的厚度，在其他区域移除所述光阻层以露出所述金属氧化物层；

对所述金属氧化物层进行图形化处理，去除露出的所述金属氧化物层，以形成金属氧化物有源层；

利用光阻灰化去除所述第二光阻，以露出对应的所述金属氧化物有源层；

对露出的所述金属氧化物有源层进行电浆处理，使对应的所述金属氧化物有源层形成导体区域，部分所述导体区域在所述衬底的正对方向上与所述栅极有重叠区域；

去除所述第一光阻，使对应的所述金属氧化物有源层形成所述半导体区域；

在所述金属氧化物层上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图形化处理，以形成源极和漏极，所述源极和/或所述漏极与所述导体区域导电接触。

2.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上沉积第一金属层，采用蚀刻工艺对所述第一金属层进行图形化以形成栅极；

在所述衬底上沉积覆盖所述栅极的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上依次沉积金属氧化物层和蚀刻阻挡层，在所述蚀刻阻挡层上涂覆光阻层，并使用半色调掩膜对所述光阻层进行曝光和显影，留下第一光阻和第二光阻，所述第一光阻的厚度大于所述第二光阻的厚度，在其他区域移除所述光阻层以露出所述蚀刻阻挡层；

对所述蚀刻阻挡层和所述金属氧化物层进行图形化处理，去除露出的所述蚀刻阻挡层和所述金属氧化物层，以形成金属氧化物有源层和覆盖于所述金属氧化物有源层上的所述蚀刻阻挡层；

利用光阻灰化去除所述第二光阻，以露出对应的所述蚀刻阻挡层，在对应于过孔的位置处去除所述蚀刻阻挡层而露出下方的所述金属氧化物有源层；

对所述过孔露出的所述金属氧化物有源层进行电浆处理，使对应的所述金属氧化物有源层形成导体区域，部分所述导体区域在所述衬底的正对方向上与所述栅极有重叠区域；

去除所述第一光阻，使对应的所述金属氧化物有源层形成所述半导体区域，所述半导体区域上覆盖有所述蚀刻阻挡层；

在所述蚀刻阻挡层上沉积第二金属层，所述第二金属层填入所述过孔中，对所述第二金属层进行图形化处理，以形成源极和漏极，所述源极和/或所述漏极通过所述过孔与所述导体区域导电接触。

3.如权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，对所述蚀刻阻挡层和所述金属氧化物层进行图形化处理，去除露出的所述蚀刻阻挡层和所述金属氧化物层，具体包括：

通过干蚀刻工艺去除所述蚀刻阻挡层，露出下方的所述金属氧化物层；

接着通过湿蚀刻工艺去除对应的所述金属氧化物层，以形成所述金属氧化物有源层。

4.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的栅极；

覆盖所述栅极的第一绝缘层；

形成于所述第一绝缘层上的金属氧化物有源层，所述金属氧化物有源层包括导体区域和半导体区域，部分所述导体区域在所述衬底的正对方向上与所述栅极有重叠区域；

形成于所述氧化物半导体层上的源极和漏极，并且所述源极和/或所述漏极与所述导体区域导电接触。

5.如权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，当所述源极和所述漏极与所述导体区域导电接触时，所述导体区域包括第一区域和第二区域，部分所述第一区域在所述衬底的正对方向上与所述栅极的一侧有重叠区域，所述源极与所述第一区域导电接触，部分所述第二区域在所述衬底的正对方向上与所述栅极的另一侧有重叠区域，所述漏极与所述第二区域导电接触。

6.如权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体区域上叠置有蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层对应所述导体区域开设有过孔。