[发明专利]一种人工石墨散热膜碳化工艺

权利要求书

1.一种人工石墨散热膜碳化工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：获取PI膜卷材，通过复卷机将PI膜卷成卷状，获得PI膜卷材；

步骤二：装炉，将所述PI膜卷材盛放到舟皿中，然后再将所述舟皿送入到碳化炉中，关闭炉门；

步骤三：抽真空，通过真空泵机组对所述碳化炉进行抽真空处理，直至所述碳化炉内的气压为-0.1～-0.09MPa，然后持续维持所述碳化炉内的气压为-0.1～-0.09MPa；

步骤四：一阶升温，当所述碳化炉内的气压为-0.1～-0.09MPa时进行一阶升温，使所述碳化炉内的温度由常温升至400～500℃；

步骤五：二阶升温，当所述碳化炉内的温度升至400～500℃时进行二阶升温，使所述碳化炉内的温度由400～500℃升至800～900℃；

步骤六：三阶升温，当所述碳化炉内的温度升至800～900℃时进行三阶升温，使所述碳化炉内的温度由800～900℃升至1400～1600℃；

步骤七：一级冷却，当所述碳化炉内的温度升至1400～1600℃时停止升温，让所述碳化炉内的温度自然冷却至250～350℃；

步骤八：破真空，当所述碳化炉内的温度冷却至250～350℃时打开所述碳化炉炉壁上的阀门，使外部气体进入到所述碳化炉的内部，破掉所述碳化炉内部的真空状态；

步骤九：二级冷却，破真空后，让所述碳化炉内的温度自然冷却至室温，完成所述PI膜的碳化。

2.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜碳化工艺，其特征在于，步骤三中，通过调节所述真空泵机组的抽气速率来维持所述碳化炉内的气压为-0.1～-0.09MPa，当所述碳化炉内的气压高于-0.1～-0.09MPa时，调大所述真空泵机组上的调速阀门，使所述真空泵机组的抽气速度提升，当所述碳化炉内的气压高低于-0.1～-0.09MPa时，调小所述真空泵机组上的调速阀门，使所述真空泵机组的抽气速度降低。

3.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜碳化工艺，其特征在于，步骤四中，所述一阶升温的升温速度保持在10～12℃/min。

4.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜碳化工艺，其特征在于，步骤五中，所述二阶升温的升温速度保持在0.5～1℃/min。

5.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜碳化工艺，其特征在于，步骤六中，所述三阶升温的升温速度保持在2～4℃/min。