[发明专利]具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器

权利要求书

1.一种显示器，包括：

半导体氧化物晶体管；

耦合到所述半导体氧化物晶体管的存储电容器；

耦合到所述半导体氧化物晶体管的硅开关晶体管，其中所述硅开关晶体管形成在基板上，其中所述半导体氧化物晶体管形成在所述硅开关晶体管上方，其中所述硅开关晶体管具有形成在栅极层中的栅极导体，并且其中所述存储电容器具有形成在栅极层中的端子；

在所述半导体氧化物晶体管上方形成的有机层；和

将所述半导体氧化物晶体管的源极-漏极端子横向耦合到所述硅开关晶体管的源极-漏极端子的金属层，其中所述金属层没有穿过所述有机层形成。

2.根据权利要求1所述的显示器，还包括：

耦合到所述半导体氧化物晶体管的发光二极管。

3.根据权利要求2所述的显示器，还包括：

第一电源线；和

第二电源线，其中所述硅开关晶体管和所述发光二极管串联耦合在所述第一电源线和所述第二电源线之间。

4.根据权利要求1所述的显示器，还包括：

耦合到所述半导体氧化物晶体管的发光二极管；和

形成在所述有机层上的附加有机层，其中所述发光二极管具有形成在附加所述有机层上的阳极层。

5.根据权利要求1所述的显示器，其中所述半导体氧化物晶体管包括半导体氧化物材料和形成在所述半导体氧化物材料下方的导体。

6.根据权利要求1所述的显示器，其中所述半导体氧化物晶体管包括包含钼的金属层。

7.根据权利要求1所述的显示器，其中所述存储电容器具有形成在所述栅极层上方的另一端子。

8.根据权利要求7所述的显示器，其中所述存储电容器的所述另一端子形成在所述半导体氧化物晶体管的顶栅导体下方。

9.根据权利要求7所述的显示器，其中所述存储电容器的另一端子由半导体氧化物材料形成。

10.根据权利要求1所述的显示器，其中所述存储电容器的端子形成在与所述硅开关晶体管的栅极导体相同的平面中，其中所述存储电容器具有在所述端子上方形成的附加端子，其中所述存储电容器的附加端子由半导体氧化物材料形成，其中所述存储电容器的附加端子形成在所述半导体氧化物晶体管的顶栅导体下方，并且其中所述金属层形成在所述半导体氧化物晶体管的顶栅导体上方并且在所述存储电容器的附加端子上方。

11.一种显示器，包括：

半导体氧化物晶体管；

在所述半导体氧化物晶体管下方形成的导体；和

耦合到所述半导体氧化物晶体管的电容器，其中所述电容器包括第一端子和第二端子，所述第二端子由与所述导体分开的附加导体形成，并且其中所述附加导体形成在与所述导体相同的层中。

12.根据权利要求11所述的显示器，还包括：

耦合到所述半导体氧化物晶体管的发光二极管。

13.根据权利要求11所述的显示器，还包括：

耦合到所述半导体氧化物晶体管的开关晶体管，其中所述开关晶体管具有形成在所述导体下方的层中的栅极。

14.根据权利要求13所述的显示器，其中所述开关晶体管包括硅晶体管。

15.根据权利要求11所述的显示器，其中所述半导体氧化物晶体管包括包含钼的金属层。

16.根据权利要求11所述的显示器，还包括：

在所述半导体氧化物晶体管上方形成的第一平坦化层；和

形成在所述第一平坦化层上的第二平坦化层。