[发明专利]显示面板和显示装置在审
申请号: | 202010341702.1 | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN111524943A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 樊聪聪;刘胜芳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板和显示装置,所述显示面板包括呈阵列分布的多个显示单元,每个所述显示单元包括同层设置的显示器件和感光器件;每个所述显示单元的一侧设置有反光单元,用于将所述显示器件发出的光部分反射至所述感光器件,以检测所述显示器件发出的光的亮度数据。本申请提供的显示面板可以实时检测每个显示单元的亮度是否异常,为亮度补偿操作提供可靠的依据;且本申请提供的显示装置可以对显示面板实时且多次进行亮度补偿,保证显示亮度均匀,提高了产品性能的可靠性。
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
与LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)相比,AMOLED(Active-matrixorganic light-emitting diode,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)具有高对比度、超轻薄、可弯曲等诸多优点。但是,由于晶化工艺的局限性,在大面积玻璃基板上制作的LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅技术)TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶体管),不同位置的TFT常常在诸如阈值电压和迁移率等电学参数上具有非均匀性,这种非均匀性会转化为OLED显示器件的电流差异和亮度差异,并被人眼所感知,即Mura(显示不均)现象。另外,Oxide TFT(氧化物薄膜晶体管)虽然工艺的均匀性较好,但是与a-Si TFT(非晶硅薄膜晶体管)类似,在长时间加压和高温下,其阈值电压会出现漂移,由于显示画面不同,面板各部分TFT的阈值漂移量不同,会造成显示亮度差异,由于这种差异与之前显示的图像有关,因此常呈现为残影现象,也就是通常所说的残像。
因此,在当前的工艺制作中,不管是LTPS TFT技术还是Oxide TFT技术都存在显示均匀性或稳定性的问题,而且OLED本身也会随着点亮时间的增加亮度逐渐衰减。这些显示问题难以在工艺上完全克服,一般通过在设计上采用各种补偿技术来消除上述因素的影响,最终让所有像素的亮度达到理想值。目前常用的补偿形式有内部补偿和外部补偿。
内部补偿是在补偿阶段把TFT的阈值电压(Vth)先储存在它的栅源电压(Vgs)内,在发光时把Vgs-Vth转化为电流,由于Vgs已经含有了Vth,在转化成电流时就把Vth的影响抵消了,从而实现了电流的一致性。但是,实际因为寄生参数和驱动速度等影响,Vth并不能完全抵消,也即当Vth偏差超过一定范围时(通常ΔVth≥0.5V),电流的一致性无法确保了,因此内部补偿的补偿范围是有限的。外部补偿根据数据抽取方法的不同又可以分为光学抽取式(Demura,光学补偿)和电学抽取式。光学抽取式是指将背板点亮后通过光学CCD(ChargeCoupled Device,电荷耦合器件)照相的方法将亮度信号抽取出来,电学抽取式是指通过驱动芯片的感应电路将TFT和OLED的电学信号抽取出来;两种方法抽取的信号种类不同,因此数据处理的方式也不同。光学抽取的方式具有结构简单,方法灵活的优点,因此在现阶段被广泛采用。
传统的Demura补偿技术需用到精细复杂的外围设备(如AOI,Automated OpticalInspection,自动光学检测),使得补偿过程较复杂,另外,传统的Demura补偿技术局限于显示面板制造厂内,而显示面板在使用过程产生的器件老化导致的显示不均的问题无法进行二次补偿,一定程度上降低了产品可靠性。因此,急需开发一种可以对显示面板进行实时Demura补偿的技术。
发明内容
本申请提供一种显示面板和显示装置,可以对显示面板的每个显示单元的亮度数据进行实时检测,有利于对显示面板进行实时亮度补偿。
本申请提供一种显示面板,包括呈阵列分布的多个显示单元,每个所述显示单元包括同层设置的显示器件和感光器件;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的