[发明专利]一种具有高损伤阈值的声光Q开关在审
申请号: | 202010341776.5 | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN111370987A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 张泽红;毛世平;蒋世义;谢强 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
主分类号: | H01S3/117 | 分类号: | H01S3/117 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 王海军 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 损伤 阈值 声光 开关 | ||
1.一种具有高损伤阈值的声光Q开关,包括底座,所述底座内设置有水冷块,在底座的下部安装有与所述水冷块连通的水嘴,所述水冷块的侧壁上安装有声光介质,所述声光介质上表面设置有焊接层,所述焊接层上安装有换能器,所述换能器的上表面设置有表电极;所述表电极通过匹配网络、温度继电器连接到射频插座;其特征在于,所述声光介质为高纯度融石英或石英晶体,并在声光介质的通光面上镀制了减反膜。
2.根据权利要求1所述的一种具有高损伤阈值的声光Q开关,其特征在于,所述高纯度融石英或石英晶体中金属元素杂质含量小于10ppm。
3.根据权利要求2所述的一种具有高损伤阈值的声光Q开关,其特征在于,所述高纯度融石英或石英晶体中金属元素杂质含量小于1ppm。
4.根据权利要求1所述的一种具有高损伤阈值的声光Q开关,其特征在于,所述高纯度融石英或石英晶体中内含羟基-OH含量小于5ppm。
5.根据权利要求4所述的一种具有高损伤阈值的声光Q开关,其特征在于,所述高纯度融石英或石英晶体中内含羟基-OH含量小于1ppm。
6.根据权利要求1所述的一种具有高损伤阈值的声光Q开关,其特征在于,所述减反膜为氧化铪和氟化钇。
7.根据权利要求1所述的一种具有高损伤阈值的声光Q开关,其特征在于,所述声光介质与底座之间依次安装有第一导电银浆、铟箔和第二导电银浆。
8.根据权利要求1所述的一种具有高损伤阈值的声光Q开关,其特征在于,所述声光介质的一个端面安装有吸收超声波的吸声块。
9.根据权利要求1所述的一种具有高损伤阈值的声光Q开关,其特征在于,所述焊接层包括第一电极层、键合层和第二电极层;所述键合层位于两个电极层之间,键合层为纯度大于99.9%的高纯金或高纯银材料制作的薄膜,其厚度为1μm~3μm。
10.根据权利要求1所述的一种具有高损伤阈值的声光Q开关,其特征在于,所述声光介质的厚度为3~5mm。
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