[发明专利]集成采样功能的超高压LDMOS复合管及工艺方法

权利要求书

1.一种集成采样功能的超高压LDMOS复合管，包含一个超高压LDMOS管，以及一个低压CMOS管，其特征在于：

在复合管中，所述低压CMOS管是采样管，所述超高压LDMOS管是被采样管，所述超高压的被采样管的尺寸远大于采样管，所述的采样管是串接于超高压LDMOS管之后，即采样管的漏区同时也是被采样管的源区，被采样管的漏区与采样管的源区分别独立引出；

被采样管的栅极与采样管的栅极各自独立引出；

所述复合管形成于P型衬底中，在P型衬底上形成有一第一N型注入区，在所述N型注入区的一侧具有第三重掺杂N型区，形成所述被采样管的漏区；

所述第一N型注入区中还具有所述被采样管的漏区漂移区，在漏区漂移区的衬底表面具有场氧层，所述场氧层一侧与所述被采样管的漏区相抵靠，另一侧向第一N型注入区的中心方向延伸；

所述被采样管的漏区漂移区中，还具有一P型掺杂层，所述P型掺杂层为位于场氧层下方、漏区漂移区中的水平分布的P型掺杂薄层；

所述第一N型注入区中，与被采样管的漏区相对的另一侧，具有一P型注入区形成的P阱，所述P阱中包括第一重掺杂N型区、第二重掺杂N型区以及第一重掺杂P型区；所述第一重掺杂N型区与第二重掺杂N型区之间为采样管的沟道区，所述第一重掺杂N型区为被采样管的源区，同时也是采样管的漏区，所述第二重掺杂N型区作为采样管的源区；所述第一重掺杂N型区与第二重掺杂N型区之间的衬底表面具有栅氧化层和覆盖在栅氧化层之上的栅极，形成采样管的栅极结构；所述P阱中的第一重掺杂P型区与第二重掺杂N型区之间的衬底表面具有场氧隔离；

在所述第一重掺杂N型区与漏区漂移区上方的场氧层之间的衬底表面，具有栅氧化层及覆盖在栅氧化层之上的栅极，形成被采样管的栅极结构，所述栅极还向第三重掺杂N型区延伸一段距离以覆盖部分场氧层；

靠近所述第三重掺杂N型区的场氧层之上还具有场板，作为被采样管的漏区场板；

所述P型衬底表面淀积一层介质层，介质层上淀积金属层，所述金属层图案化后形成各个引出电极；所述各电极通过穿通介质层的接触孔与P型衬底中各引出区接触以引出复合管的各电极；

在俯视平面上，所述的复合管的版图是呈闭环结构，被采样管的源区位于被采样管的栅极和采样管的栅极之间，漏区漂移区上有场板；所述的被采样管的栅极、采样管的栅极以及场板均是平行等距排列，且均各自首尾相接而形成的闭环结构，采样管的栅极位于整个平行封闭结构的最外围，被采样管的源区同时也是采样管的漏区，采样管在电学性能上是等效串接于被采样管的源区，采样管的源区则位于闭环结构的最外围，形成独立引出，所述被采样管的栅极、采样管的栅极以及场板均各自独立引出形成电极，且场板与被采样管的漏区通过金属短接。

2.如权利要求1所述的集成采样功能的超高压LDMOS复合管，其特征在于：所述呈闭环结构的复合管的版图，其形状为圆环型、椭圆形、马蹄形或者子弹型的各种等效变化形式。

3.如权利要求2所述的集成采样功能的超高压LDMOS复合管，其特征在于：所述的被采样管的栅极、采样管的栅极以及漏区场板为多晶硅材质，或者是金属材质。

4.如权利要求1所述的集成采样功能的超高压LDMOS复合管，其特征在于：所述采样管的栅极是形成与所述被采样管的源区有源区上，所述的采样管的栅极与被采样管的栅极分别接各自独立的控制电位，通过对采样管栅极电位的调整，实现对被采样管的不同采样比的采样功能。

5.如权利要求1所述的集成采样功能的超高压LDMOS复合管，其特征在于：所述的被采样管是漏区在中间，被采样管的源区在外围的闭环结构，采样管的栅极在被采样管的源区外侧，与被采样管的栅极保持平行等距排布；被采样管的源区同时也是采样管的漏区，为重掺杂的N型注入区；此结构能最大限度保证超高压的被采样管的版图形式及场板性能，保证超高耐压能力，同时保证了采样管和被采样管在沟道总宽度上的一致性，提高采样精度与匹配度。