[发明专利]一种时序产生电路在审

专利信息
申请号: 202010342091.2 申请日: 2020-04-27
公开(公告)号: CN111490756A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 刘芳芳 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03K3/353 分类号: H03K3/353
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 时序 产生 电路
【权利要求书】:

1.一种时序产生电路,其特征在于,至少包括:

第一至第七PMOS、第一至第五NMOS、第一至第二电容以及电阻;其中所述第三、第四PMOS、第三、第四NMOS以及所述电阻构成偏置电流电路;所述第二、第三PMOS的源极、所述第四、第一PMOS的漏极以及所述第六PMOS的漏极共同连接电源电压;所述第二PMOS的栅极、第七PMOS的漏极、第一NMOS的源极以及所述第一PMOS的栅极相互连接;所述第一PMOS的源极与所述第七PMOS的源极相互连接;

所述第一NMOS的漏极、第二NMOS的源极、第三NMOS的漏极、第五NMOS的源极共同接地;所述第二PMOS的漏极与所述第二NMOS的漏极和栅极、第一NMOS的栅极相互连接;

所述第六PMOS、第五PMOS、第五NMOS依次首尾串联,并且所述第五PMOS的栅极与所述第四NMOS的漏极连接;所述第一电容并联在串联后的所述第六PMOS和第五PMOS两端;所述第二电容并联在所述第五NMOS两端,所述第一、第二电容连接的部位作为该时序产生电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的时序产生电路,其特征在于:所述第三PMOS的漏极与所述第三NMOS的源极连接;所述第四PMOS的源极与所述第四NMOS的漏极以及所述第七PMOS的源极连接;所述第三NMOS和所述第四NMOS的栅极共同连接至所述第三NMOS的源极和所述第三PMOS的漏极。

3.根据权利要求2所述的时序产生电路,其特征在于:所述电阻的一端连接于所述第四NMOS的源极,另一端接地。

4.根据权利要求3所述的时序产生电路,其特征在于:所述第六PMOS的源极与所述第五PMOS的漏极连接;所述第五PMOS的源极与所述第五NMOS的漏极连接,所述第五PMOMS的源极与所述第五NMOS的漏极直接作为所述输出端。

5.根据权利要求1所述的时序产生电路,其特征在于:经过所述第一PMOS、第二PMOS的电流分别镜像经过所述第四PMOS的电流。

6.根据权利要求5所述的时序产生电路,其特征在于:经过所述第一PMOS和所述第二PMOS的电流分别远小于经过所述第三、第四PMOS的电流。

7.根据权利要求6所述的时序产生电路,其特征在于:经过所述第一NMOS和所述第二NMOS的电流为相等的镜像电流。

8.根据权利要求7所述的时序产生电路,其特征在于:所述第六PMOS的栅极和所述第五NMOS的栅极分别为电流输入端。

9.根据权利要求1所述的时序产生电路,其特征在于:所述第一、第二电容连接的部位还设有反相器,经过所述反相器的输出端为该时序产生电路的输出端。

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