[发明专利]残留气体去除设备和方法在审
| 申请号： | 202010342136.6 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111524832A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 阚保国;阚杰;曹春生;冯大贵;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 残留 气体 去除 设备 方法 | ||
1.一种残留气体去除设备，其特征在于，所述设备应用于半导体制造工艺的金属互连工艺中，所述设备包括：
壳体，所述壳体为立方体，所述壳体的六个面中具有开口面；
至少两个腔室，所述至少两个腔室设置于所述壳体中，用于放置晶圆，所述至少两个腔室中设置有进气口和排气口，当所述设备工作时，从所述进气口通入气体，所述气体从所述出气口排出以去除放置于所述腔室中的晶圆上的残留气体；
门板，所述门板设置于所述开口面。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，对于所述至少两个腔室中的任一腔室，其包括至少一个进气口和至少一个排气口。
3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，对于所述至少两个腔室中的任一腔室，其包括多个进气口。
4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述至少两个腔室中每个腔室之间相互隔离。
5.根据权利要求1至4任一所述的设备，其特征在于，当所述设备工作时，从所述进气口通入所述腔室的气体包括氮气。
6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，当所述设备工作时，从所述进气口通入所述腔室的气体的温度为25摄氏度至80摄氏度。
7.一种残留气体去除方法，其特征在于，所述方法应用于半导体制造工艺的金属互连工艺中，所述方法包括：
打开残留气体去除设备的门板；
将晶圆放置于所述设备的腔室中；
关闭所述门板，从所述腔室中的进气口通入气体，所述气体从所述腔室的排气口排出以去除所述晶圆上的残留气体；
打开所述门板，取出所述晶圆。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述设备包括至少两个腔室；
所述将晶圆放置于所述设备的腔室中，包括：
将至少两个晶圆中的每个晶圆放置在所述至少两个腔室的每个腔室中。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，从所述进气口通入所述腔室的气体包括氮气。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，从所述进气口通入所述腔室的气体的温度为25摄氏度至80摄氏度。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，从所述腔室中的进气口通入气体的时间小于20分钟。
12.根据权利要求7至11任一所述的方法，其特征在于，对于所述至少两个腔室中的任一腔室，其包括至少一个进气口和至少一个排气口。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，对于所述至少两个腔室中的任一腔室，其包括多个进气口。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述至少两个腔室中每个腔室之间相互隔离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
