[发明专利]应用于后道工序中的刻蚀方法

权利要求书

1.一种应用于后道工序中的刻蚀方法，其特征在于，包括：

通过光刻工艺在第二硬掩模层的目标区域覆盖光阻，所述第二硬掩模层形成于第一硬掩模层上，所述第一硬掩模层形成于第二介质层上，所述第二介质层形成于第一介质层上，所述第一介质层形成于层间介质和形成于层间介质中的金属通孔上，所述目标区域是所述第二硬掩模层上除所述金属通孔上方的区域以外的其它区域，所述层间介质包括氧化硅或二氧化硅；

通过刻蚀去除所述金属通孔上方的第二硬掩模层、第一硬掩模层和第一预定深度的第二介质层；

通过包含四氟化碳、氢气和氩气的反应气体对所述光阻进行碳化处理，在所述光阻的表面形成硬质保护层；

刻蚀去除第二预定深度的第二介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀去除所述金属通孔上方的第二硬掩模层、第一硬掩模层和第一预定深度的第二介质层，包括：

通过第一次干法刻蚀去除所述金属通孔上方的第二硬掩模层；

通过第二次干法刻蚀去除所述金属通孔上方的第一硬掩模层和第一预定深度的第二介质层，所述第一次干法刻蚀和所述第二次干法刻蚀的反应气体不同。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩模层包括BARC。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一次干法刻蚀的反应气体包括四氟化碳、氧气和氩气。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩模层包括DARC。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二介质层包括PEOX。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二次干法刻蚀的反应气体包括三氟甲烷和四氟化碳。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除第二预定深度的第二介质层，包括：

通过第三次干法刻蚀去除所述第二预定深度的第二介质层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一介质层包括NDC。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第三次干法刻蚀的反应气体包括三氟甲烷和四氟化碳。