[发明专利]一种聚合物基压电薄膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010342728.8 申请日: 2020-04-27
公开(公告)号: CN111363277B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 裘进浩;赵秋莹;杨路;季宏丽 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08K3/14;C08K3/28;C08J5/18;H01L41/18;H01L41/193;H01L41/37;H01L41/45;B32B27/06;B32B27/32;B32B27/20;B32B33/00;B32B37/06;B32B37/10
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 马小星
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 聚合物 压电 薄膜 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种聚合物基压电薄膜,其特征在于,包括聚合物和二维层状结构化合物;所述聚合物与二维层状结构化合物的质量比为100:(0.1~2);

所述聚合物为聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯-六氟丙烯和聚偏氟乙烯-三氟乙烯中的一种或多种;

所述二维层状结构化合物的化学组成为Mn+1XnTy,其中n=1、2或3,M为过渡金属元素,T为-O、-OH或-F官能团,X为碳元素或氮元素;

所述聚合物基压电薄膜的制备方法,包括以下步骤:

将聚合物与二维层状结构化合物混合,得到纺丝浆料;

将所述纺丝浆料依次进行静电纺丝和第一热压,得到初始薄膜;

将所述初始薄膜依次进行层叠、第二热压和轧制,得到所述聚合物基压电薄膜。

2.根据权利要求1所述的聚合物基压电薄膜,其特征在于,所述二维层状结构化合物包括Ti3C2、Ti2C和Ti4N3中的一种或多种。

3.权利要求1或2所述聚合物基压电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将聚合物与二维层状结构化合物混合,得到纺丝浆料;

将所述纺丝浆料依次进行静电纺丝和第一热压,得到初始薄膜;

将所述初始薄膜依次进行层叠、第二热压和轧制,得到所述聚合物基压电薄膜。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述聚合物以聚合物溶液的形式加入;所述聚合物溶液的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺;所述聚合物溶液中聚合物与溶剂的质量比为1:(2~10)。

5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述二维层状结构化合物以二维层状结构化合物溶液的形式加入;所述二维层状结构化合物溶液的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺;所述二维层状结构化合物溶液中二维层状结构化合物与溶剂的质量比为1:(2000~10000)。

6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述静电纺丝的条件包括:注射器的推速为0.5~1.5mL/h;所述纺丝中注射器与滚筒接收器的距离为10~18cm;所述纺丝中滚筒接收器的转速为400~800rpm。

7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述第一热压的温度为200~350℃,压力为30~50MPa。

8.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述层叠中纤维膜的层叠数为3;

所述第二热压的温度为200~350℃,压力为30~50MPa。

9.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述轧制的温度为40~90℃,轧制的转速为10~30rpm;轧制前薄膜的厚度为20~80μm;轧制后的薄膜厚度为轧制前薄膜厚度的1/3~1/5。

10.权利要求1或2所述聚合物基压电薄膜或权利要求3~9任一项所述制备方法制备得到的聚合物基压电薄膜在压电器件中的应用。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京航空航天大学,未经南京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010342728.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top