[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 202010343017.2 | 申请日: | 2020-04-27 |
公开(公告)号: | CN111430439B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 张欢喜;宋先保;塔乐;敦栋梁;夏志强 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 430074 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
第一显示区和第二显示区,所述第一显示区与所述第二显示区相邻,所述第二显示区与光学采集元件对应设置;
衬底基板;
所述第一显示区和所述第二显示区均包括多个子像素,所述子像素包括有机发光元件;所述第二显示区包括多个透光孔,在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述透光孔与所述子像素不交叠,且所述透光孔为非矩形;所述第二显示区还包括位于所述衬底基板上的遮蔽层;
所述显示面板还包括位于所述衬底基板一侧的多个第一触控电极和多个第二触控电极;所述第一触控电极包括多个第一子触控电极,以及连接相邻两个所述第一子触控电极的第一连接结构;所述第二触控电极包括多个第二子触控电极,以及连接相邻两个所述第二子触控电极的第二连接结构;在所述第一显示区内,所述第一子触控电极和所述第二子触控电极同层设置;在所述第二显示区内,所述第一子触控电极和所述第二子触控电极异层设置,且在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第一子触控电极和所述透光孔至少部分重叠,所述第一子触控电极为透明电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
在所述第一显示区内,所述第一子触控电极和所述第二子触控电极均包括多条第一金属走线,多条所述第一金属走线交叉限定出多个第一网孔,在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,至少一个所述第一网孔包围至少一个所述子像素。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
在所述第一显示区内,所述第一连接结构和所述第一子触控电极同层,所述第二连接结构和所述第二子触控电极异层。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
在所述第二显示区内,所述第二子触控电极包括多条第二金属走线,多条所述第二金属走线交叉限定出多个第二网孔,在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,至少一个所述第二网孔包围至少一个所述子像素;
在所述第二显示区内,所述第二连接结构与所述第二子触控电极同层。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
在所述第二显示区内,且在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第一子触控电极的面积大于所述透光孔的面积,所述第一子触控电极与所述第二子触控电极不交叠。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
在所述第二显示区内,所述第一连接结构的材质与所述第二子触控电极相同。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
在所述第二显示区内,所述第一子触控电极位于所述第二子触控电极远离所述衬底基板的一侧;或者,所述第二子触控电极位于所述第一子触控电极远离所述衬底基板的一侧。
8.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
在所述第二显示区内,且在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上,所述第二子触控电极位于所述第一子触控电极内;
且,所述第二子触控电极位于所述第一子触控电极远离所述衬底基板的一侧。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板包括位于衬底基板一侧的薄膜晶体管阵列层、位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板一侧的有机发光器件层、位于所述有机发光器件层远离所述衬底基板一侧的薄膜封装层,所述第一触控电极和所述第二触控电极位于所述薄膜封装层远离所述衬底基板的一侧;
所述薄膜晶体管阵列层包括有源层、栅极绝缘层、第一金属层、层间绝缘层和第二金属层;所述有机发光器件层包括阳极层、发光层和阴极层;
所述显示面板还包括位于所述第二金属层与阳极层之间的平坦化层、位于所述阳极层远离所述衬底基板一侧的像素定义层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉天马微电子有限公司,未经武汉天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010343017.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的