[发明专利]芯片封装结构的形成方法

说明书

本发明实施例提供芯片封装结构的形成方法。方法包含在芯片上形成第一导电凸块和第一环状结构。第一环状结构环绕第一导电凸块，第一环状结构和第一导电凸块由相同的第一材料制成，芯片包含互连结构，且第一环状结构电性绝缘于互连结构和第一导电凸块。方法包含将芯片经由第一导电凸块接合至基板。

技术领域

本发明实施例涉及芯片封装结构及其形成方法，尤其涉及具有环状结构的芯片封装结构及其制造方法。

背景技术

半导体装置被用于各式各样的电子应用中，例如个人电脑、手机、数字相机和其他电子设备。通常而言，半导体装置的制造是借着在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层，且使用光刻将各种材料层图案化以形成电路组件和元件。

通常将数十或数百个集成电路制造在单一半导体晶片上。借着沿切割线对集成电路进行切割以将个别的裸片(die)分离。然后将个别的裸片各自封装。通过持续地降低最小部件尺寸，半导体产业不断改善各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的整合密度，使得在给定的区域中允许整合更多的组件。然而，由于部件尺寸不断地缩小，生产工艺持续变得更难以实施。因此，形成高整合密度的电子组件的可靠封装是一项挑战。

发明内容

根据本发明实施例中的一些实施例，提供芯片封装结构的形成方法。方法包含在芯片上形成第一导电凸块和第一环状结构。第一环状结构环绕第一导电凸块，第一环状结构和第一导电凸块由相同的第一材料制成，且芯片包含互连结构。方法也包含将芯片经由第一导电凸块接合至基板。第一环状结构电性绝缘于互连结构、第一导电凸块和基板。

根据本发明实施例中的一些实施例，提供芯片封装结构的形成方法。方法包含将芯片接合至第一基板的第一表面，以及在第一基板的第二表面上形成第一掩膜层。第一掩膜层具有第一开口和环绕第一开口的第一沟槽。方法也包含在第一开口和第一沟槽内电镀形成第一导电层。第一开口内的第一导电层形成第一导电凸块，第一沟槽内的第一导电层形成第一环状结构，且第一环状结构电性绝缘于芯片和第一导电凸块。方法还包含移除第一掩膜层，以及将第一基板经由第一导电凸块接合至第二基板。第一环状结构电性绝缘于第二基板。

根据本发明实施例中的一些实施例，提供芯片封装结构。芯片封装结构包含基板，以及在基板上的芯片。芯片封装结构也包含在芯片与基板之间且连接至芯片的第一导电凸块。芯片封装结构还包含在芯片与基板之间且连接至芯片的第一环状结构。第一环状结构环绕第一导电凸块，第一环状结构与第一导电凸块由相同的第一材料制成，芯片包含互连结构，且第一环状结构电性绝缘于互连结构和第一导电凸块。

附图说明

通过以下的详述配合所附附图可更加理解本发明实施例的内容。需注意的是，根据产业上的标准做法，各种部件并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意增加或减少。

图1A～图1I是根据一些实施例，显示形成芯片封装结构的工艺的各个阶段的剖面示意图。

图1A-1是根据一些实施例，显示图1A的芯片封装结构的俯视图。

图1B-1是根据一些实施例，显示图1B的芯片封装结构的俯视图。

图1C-1是根据一些实施例，显示图1C的芯片封装结构的俯视图。

图1D-1是根据一些实施例，显示图1D的芯片封装结构的俯视图。

图1E-1是根据一些实施例，显示图1E的芯片封装结构的俯视图。

图1G-1是根据一些实施例，显示图1G的芯片封装结构的俯视图。

图1H-1是根据一些实施例，显示图1H的芯片封装结构的俯视图。

图1I-1是根据一些实施例，显示图1I的芯片封装结构的俯视图。