[发明专利]存储器及其读出电路

权利要求书

1.一种存储器的读出电路，包括：

钳位电路，用于在预充电时对位线进行钳位，并在预充电结束后感应被读取的存储单元的电流，以输出位线电流至数据线；

电流镜电路，用于对所述位线电流进行镜像，获得镜像电流；

比较电路，用于对所述镜像电流和参考电流进行比较，获得比较电压；

输出电路，用于对所述比较电压进行整形，获得读取数据；

其特征在于，所述比较电路包括第一参考电阻、第二参考电阻、电压比较器以及参考电流源，所述第一参考电阻的阻值和所述第二参考电阻的阻值相等；

所述第一参考电阻的一端连接所述电压比较器的反相输入端并用于接收所述镜像电流，所述第一参考电阻的另一端接地；

所述第二参考电阻的一端连接所述参考电流源的一端和所述电压比较器的同相输入端，所述第二参考电阻的另一端接地；

所述参考电流源的另一端用于接收电源电压，所述电压比较器的输出端用于输出所述比较电压。

2.根据权利要求1所述的读出电路，其特征在于，所述钳位电路包括第一反相器和调整晶体管；

所述第一反相器的输入端和所述调整晶体管的一端连接所述位线，所述第一反相器的输出端连接所述调整晶体管的控制端，所述调整晶体管的另一端连接所述数据线。

3.根据权利要求2所述的读出电路，其特征在于，所述调整晶体管为NMOS晶体管，所述调整晶体管的一端为NMOS晶体管的源极，所述调整晶体管的另一端为NMOS晶体管的漏极，所述调整晶体管的控制端为NMOS晶体管的栅极。

4.根据权利要求1所述的读出电路，其特征在于，所述电流镜电路包括输入晶体管和镜像晶体管；

所述输入晶体管的一端、所述输入晶体管的控制端以及所述镜像晶体管的控制端连接所述数据线，所述镜像晶体管的一端用于输出所述镜像电流，所述输入晶体管的另一端和所述镜像晶体管的另一端用于接收电源电压。

5.根据权利要求4所述的读出电路，其特征在于，所述输入晶体管和所述镜像晶体管为PMOS晶体管，所述输入晶体管的一端和所述镜像晶体管的一端为PMOS晶体管的漏极，所述输入晶体管的另一端和所述镜像晶体管的另一端为PMOS晶体管的源极，所述输入晶体管的控制端和所述镜像晶体管的控制端为PMOS晶体管的栅极。

6.根据权利要求1所述的读出电路，其特征在于，所述输出电路包括第二反相器和第三反相器；

所述第二反相器的输入端用于接收所述比较电压，所述第二反相器的输出端连接所述第三反相器的输入端，所述第三反相器的输出端用于输出所述读取数据。

7.根据权利要求1所述的读出电路，其特征在于，所述被读取的存储单元为阻变存储单元。

8.根据权利要求7所述的读出电路，其特征在于，所述阻变存储单元包括选通晶体管和可变电阻；

所述选通晶体管的控制端连接字线，所述选通晶体管的一端接地，所述选通晶体管的另一端连接所述可变电阻的一端，所述可变电阻的另一端通过译码电路连接所述位线。

9.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的读出电路。