[发明专利]磁阻随机存取存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种磁阻随机存取存储装置，包括：

衬底；

存储单元，所述存储单元包括顺序堆叠在所述衬底上的下电极、磁隧道结结构和上电极；

钝化图案，所述钝化图案位于所述存储单元的侧壁上；

通路，所述通路位于所述存储单元上并与所述上电极接触；和

布线，所述布线位于所述通路上并与所述通路接触，

其中，所述上电极的中央部分在基本垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上从所述上电极的其余部分突出。

2.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储装置，其中：

所述上电极包括沿所述垂直方向顺序堆叠的下部、中间部分和突出部分，并且

所述下部的侧壁具有恒定的斜率，所述中间部分的侧壁具有从所述下部朝向所述突出部分减小的斜率，并且所述突出部分的侧壁的斜率大于与其相邻的所述中间部分的侧壁的斜率。

3.根据权利要求2所述的磁阻随机存取存储装置，其中，所述上电极的所述中间部分的宽度沿所述垂直方向的减小量大于所述上电极的所述下部和所述上电极的所述突出部分的宽度沿所述垂直方向的减小量。

4.根据权利要求2所述的磁阻随机存取存储装置，其中，所述上电极的所述突出部分具有至少中央部分平坦的上表面。

5.根据权利要求2所述的磁阻随机存取存储装置，其中，所述上电极的所述突出部分具有圆角的上表面。

6.根据权利要求2所述的磁阻随机存取存储装置，其中，所述上电极的所述突出部分在所述垂直方向上的厚度大于所述上电极的所述中间部分在所述垂直方向上的厚度。

7.根据权利要求2所述的磁阻随机存取存储装置，其中，所述上电极的所述突出部分在所述垂直方向上的厚度大于所述上电极的所述下部在所述垂直方向上的厚度。

8.根据权利要求2所述的磁阻随机存取存储装置，其中，所述上电极的所述突出部分在所述垂直方向上的厚度小于所述上电极的所述下部在所述垂直方向上的厚度。

9.根据权利要求2所述的磁阻随机存取存储装置，其中，所述上电极的所述中间部分在所述垂直方向上的厚度小于所述上电极的所述下部在所述垂直方向上的厚度。

10.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储装置，其中，所述通路接触所述钝化图案的最上表面。

11.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储装置，其中，所述钝化图案具有均匀的厚度，并且包括氮化硅。

12.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储装置，其中，所述通路具有下表面，其中：

所述下表面的中央部分在所述垂直方向上是凹形的，并且

所述下表面的边缘部分在所述垂直方向上是凸形的。

13.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储装置，其中，所述通路的最下表面的高度高于或等于所述上电极的所述下部的上表面的高度。

14.一种磁阻随机存取存储装置，包括：

衬底；

存储单元，所述存储单元包括顺序堆叠在所述衬底上的下电极、磁隧道结结构和上电极；

钝化图案，所述钝化图案位于所述存储单元的侧壁上；

通路，所述通路位于所述存储单元上并与所述上电极和所述钝化图案中的每一者接触；和

布线，所述布线位于所述通路上并电连接到所述通路，

其中：

所述上电极包括顺序堆叠并一体形成的第一部分、第二部分和第三部分，并且

所述上电极的所述第二部分的宽度沿与所述衬底的上表面基本垂直的垂直方向的减小量大于所述上电极的所述第一部分的宽度和所述上电极的所述第三部分的宽度沿所述垂直方向的减小量。