[发明专利]一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具

权利要求书

1.一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具，包括移动模部件和固定模部件，其特征在于，所述移动模部件包括依次设置的上模板(2)、热流道板(3)和温度调节板(6)，所述移动模部件设有贯穿上模板(2)和热流道板(3)的主流道(15)，所述热流道板(3)中设有第一温度传感器(4)；

所述固定模组件包括下模(12)和设置在下模(12)中的型腔模板(11)，所述型腔模板(11)中设有型腔(14)，所述型腔(14)中设有型腔冷却器(10)，所述型腔(14)的侧壁设有压力传感器和第二温度传感器；

所述第一温度传感器(4)、压力传感器和第二温度传感器均与模控系统连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具，其特征在于，所述型腔(14)的底部设有型腔热屏蔽层(9)。

3.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具，其特征在于，所述型腔模板(11)中设有与型腔(14)相连的瞬间冷却器(8)。

4.根据权利要求3所述的一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具，其特征在于，所述瞬间冷却器(8)之处设有高敏温度传感器(7)。

5.根据权利要求3所述的一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具，其特征在于，所述瞬间冷却器(8)与型腔(14)的底部连接。

6.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具，其特征在于，所述温度调节板(6)与热流道板(3)之间设有流道热屏蔽层(5)。

7.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具，其特征在于，所述压力传感器和第二温度传感器设置在型腔(14)的其中一个侧壁，所述型腔冷却器(10)设置在与该侧壁相对的另一侧壁。

8.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具，其特征在于，所述模控系统采用具有亚毫秒级响应速度的模控系统MCU(16)。

9.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具，其特征在于，所述型腔(14)设有两部分，所述型腔冷却器(10)设置在两部分型腔(14)之间。

10.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件封装的无重熔高温高压注塑模具，其特征在于，所述型腔冷却器(10)为管状。