[发明专利]一种基于磁热效应的光纤磁场探测器

权利要求书

1.一种基于磁热效应的光纤磁场探测器，其特征在于，包括衬底、热膨胀层、第一光纤、第二光纤、光栅光纤、四氧化三铁层、光源、光探测器，所述热膨胀层置于所述衬底上，所述第一光纤、所述光栅光纤、所述第二光纤置于所述热膨胀层上，所述第一光纤、所述光栅光纤、所述第二光纤依次连接，所述四氧化三铁层包覆所述光栅光纤；使用时，所述第一光纤连接光源，所述第二光纤连接光探测器。

2.如权利要求1所述的基于磁热效应的光纤磁场探测器，其特征在于：还包括第二四氧化三铁层，所述第二四氧化三铁层置于所述衬底与所述热膨胀层之间。

3.如权利要求1-2任一项所述的基于磁热效应的光纤磁场探测器，其特征在于：所述四氧化三铁层和所述第二四氧化三铁层由四氧化三铁纳米粒子构成。

4.如权利要求3所述的基于磁热效应的光纤磁场探测器，其特征在于：所述四氧化三铁纳米粒子的粒径尺寸为10纳米-100纳米。

5.如权利要求4所述的基于磁热效应的光纤磁场探测器，其特征在于：所述热膨胀层为有机玻璃、聚酰胺、聚氯乙烯。

6.如权利要求5所述的基于磁热效应的光纤磁场探测器，其特征在于：所述衬底的材料为二氧化硅。

7.如权利要求6所述的基于磁热效应的光纤磁场探测器，其特征在于：在所述光栅光纤下部所述热膨胀层的厚度大于在所述第一光纤和所述第二光纤下部所述热膨胀层的厚度。

8.如权利要求7所述的基于磁热效应的光纤磁场探测器，其特征在于：在所述热膨胀层的上表面具有微纳尺寸的凸起。