[发明专利]一种碳化硅衬底的处理方法在审
| 申请号： | 202010345960.7 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111668088A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;吴军民;金锐;汤广福;潘艳;邱宇峰;田亮;孙俊敏;李晨;吴斌;齐向 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司泰安供电公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 衬底 处理 方法 | ||
1.一种碳化硅衬底的处理方法，其特征在于，包括：
通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化；
采用退火炉对钝化后的碳化硅衬底进行高温退火；
在高温退火后的碳化硅衬底表面生长氧化层。
2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底的处理方法，其特征在于，所述通过等离子体对所述碳化硅衬底进行钝化，包括：
采用RCA标准清洗所述碳化硅衬底；
基于氧族气体、氮族气体和磷族气体中的一种或多种，采用等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化。
3.根据权利要求2所述的碳化硅衬底的处理方法，其特征在于，所述通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化，包括：
当采用氧族气体时，将所述碳化硅衬底放入等离子体处理设备，并将所述等离子体处理设备抽真空；
将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃-400℃，之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W-1000W，接着以10SCCM-1000SCCM的流量通入氧族气体，维持1s-5min。
4.根据权利要求3所述的碳化硅衬底的处理方法，其特征在于，所述通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化，包括：
当采用氮族气体时，将所述碳化硅衬底放入等离子体处理设备，并将所述等离子体处理设备抽真空；
将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃-400℃，之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W-1000W，接着以10SCCM-1000SCCM的流量通入氮族气体，维持1s-5min。
5.根据权利要求4所述的碳化硅衬底的处理方法，其特征在于，所述通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化，包括：
当采用磷族气体时，将所述碳化硅衬底放入等离子体处理设备，并将所述等离子体处理设备抽真空；
将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃-400℃，之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W-1000W，接着以10SCCM-2000SCCM的流量通入磷族气体，维持1s-5min。
6.根据权利要求1所述的碳化硅衬底的处理方法，其特征在于，所述采用退火炉对钝化后的碳化硅衬底进行高温退火，包括：
将钝化后的碳化硅衬底放入退火炉，并将所述退火炉抽真空至1torr-30torr；
以10℃/min-200℃/min的升温速率将退火炉的内部温度升高到800℃-1000℃，之后以5SCCM-60SCCM的流量通入H2，维持2min-20min；
通入H2的同时，以20SCCM-200SCCM继续通入HCL，维持0.5min-5min；
将真退火炉的内部温度降至室温。
7.根据权利要求1所述的碳化硅衬底的处理方法，其特征在于，所述在高温退火后的碳化硅衬底表面生长氧化层，包括：
将高温退火后的碳化硅衬底放入氧化炉，并将氧化炉的内部温度以10℃/min-200℃/min的升温速率升高到900℃-1200℃，以1SLM-10SLM的流量通入O2、NO和/或N2O；
将氧化炉的内部温度以10℃/min-200℃/min的升温速率升高到1200℃-1500℃，维持1min-5h，之后停止通入O2、NO和/或N2O，得到氧化层。
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