[发明专利]一种功率半导体器件低热阻封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件低热阻封装结构，其特征在于，包括在压接塑封体(4)中依次设置的电极互联片(3)、功率芯片(2)和引线框架(1)，所述电极互联片(3)与功率芯片(2)之间的电极压接区域设有压接缓冲层(6)，所述电极互联片(3)与引线框架(1)之间通过引脚焊接层(8)连接，所述引线框架(1)的芯片固晶区周边设有若干塑封体锚固孔(9)。

2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件低热阻封装结构，其特征在于，所述功率芯片(2)与引线框架(1)之间的芯片固晶区设有压接焊固晶层(7)。

3.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件低热阻封装结构，其特征在于，所述电极互联片(3)在电极压接区域之间朝向引线框架(1)的一侧设有耐高温电绝缘涂层(5)。

4.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件低热阻封装结构，其特征在于，所述电极互联片(3)为具有电导通和热扩散双重功能的电极互联散热片。

5.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件低热阻封装结构，其特征在于，所述压接塑封体(4)与引线框架(1)间形成温度补偿型贯通式刚性连接。

6.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件低热阻封装结构，其特征在于，所述压接塑封体(4)采用热塑型高分子材料。

7.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件低热阻封装结构，其特征在于，所述压接缓冲层(6)具体为压接应变缓冲合金层。

8.一种权利要求1～7任一所述的功率半导体器件低热阻封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

S1、在所述电极互联片(3)的电极压接区域分别制作出压接缓冲层(6)和压接焊固晶层(7)，在所述引线框架(1)的芯片固晶区制作出压接焊固晶层(7)，并在芯片固晶区周边加工出若干塑封体锚固孔(9)；

S2、将电极互联片(3)、功率芯片(2)和引线框架(1)按规定位置要求装入定位治具，放入真空压接焊机完成固晶焊接、电极共晶焊接以及压接缓冲层(6)共面接合，制作出器件内芯部件；

S3、将所述器件内芯部件按规定位置要求装入注塑模具，注入热塑型高分子材料，使压接塑封体(4)通过塑封体锚固孔(9)与器件内芯部件成为刚性整体，冷却后完成器件的塑封。

9.根据权利要求8所述的一种功率半导体器件低热阻封装结构的制作方法，其特征在于，所述注塑模具为无重熔高温高压注塑模具，S2中采用高温高压方式注入热塑型高分子材料。

10.根据权利要求8所述的一种功率半导体器件低热阻封装结构的制作方法，其特征在于，所述S1还包括：

在所述电极互联片(3)的电极压接区域之间朝向引线框架(1)的一侧制作出耐高温电绝缘涂层(5)。