[发明专利]用于半导体清洗设备中的晶圆清洗方法及半导体清洗设备

权利要求书

1.一种用于半导体清洗设备中的晶圆清洗方法，包括：

根据预设的工艺配方，判断当前清洗步骤是否需要进行兆声波清洗；

如果判断结果为是，则根据所述工艺配方，确定所述当前清洗步骤对应的兆声波清洗模式，所述兆声波清洗模式包括兆声波调制周期以及与所述兆声波调制周期对应的兆声波占空比；

执行所述当前清洗步骤，在根据所述工艺配方向晶圆表面输送清洗液的同时，根据确定的所述兆声波清洗模式向所述晶圆传输兆声波。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，兆声波调制周期的取值范围为100微秒至100毫秒，所述兆声波占空比的取值范围为30％至8％。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述兆声波清洗模式包括：

模式一：所述兆声波调制周期分为多个时长相同的阶段，每个所述阶段对应相同的兆声波占空比；

模式二：所述兆声波调制周期分为多个阶段，所述阶段的时长依次递减，每个所述阶段对应相同的兆声波占空比；

模式三：所述兆声波调制周期分为多个阶段，所述阶段的时长依次递减，所述阶段对应兆声波占空比也依次递减。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述兆声波清洗模式包括：

模式一：所述兆声波调制周期分为三个时长相同的阶段，每个所述阶段对应的兆声波占空比均为50％；

模式二：所述兆声波调制周期分为三个阶段，三个所述阶段的时长依次为所述兆声波调制周期的40％、33％、27％，每个所述阶段对应的兆声波占空比均为40％；

模式三：所述兆声波调制周期分为三个阶段，三个所述阶段的时长依次为所述兆声波调制周期的40％、33％、27％，三个所述阶段对应兆声波占空比依次为50％、30％、20％。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述根据确定的所述兆声波清洗模式向所述晶圆传输兆声波，包括：

根据确定的所述兆声波清洗模式控制兆声波功率放大器对兆声波信号发生器产生的电信号进行调节，使换能器基于调节后的电信号生成对应的兆声波并向所述晶圆传输。

6.一种半导体清洗设备，包括：工艺腔室、清洗液组件、兆声波组件、控制器，其中，

所述工艺腔室用于容纳晶圆；

所述清洗液组件用于向所述晶圆输送清洗液；

所述兆声波组件用于向所述晶圆传输兆声波；

所述控制器，用于根据预设的工艺配方，判断当前清洗步骤是否需要进行兆声波清洗；如果判断结果为是，则根据所述工艺配方，确定所述当前清洗步骤对应的兆声波清洗模式，所述兆声波清洗模式包括兆声波调制周期以及与所述兆声波调制周期对应的兆声波占空比；执行所述当前清洗步骤，在根据所述工艺配方控制所述清洗液组件向晶圆表面输送清洗液的同时，根据确定的所述兆声波清洗模式控制所述兆声波组件向所述晶圆发射兆声波。

7.根据权利要求6所述的半导体清洗设备，其特征在于，兆声波调制周期的取值范围为100微秒至100毫秒，所述兆声波占空比的取值范围为30％至8％。

8.根据权利要求7所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述兆声波清洗模式包括：

模式一：所述兆声波调制周期分为多个时长相同的阶段，每个所述阶段对应相同的兆声波占空比；

模式二：所述兆声波调制周期分为多个阶段，所述阶段的时长依次递减，每个所述阶段对应相同的兆声波占空比；

模式三：所述兆声波调制周期分为多个阶段，所述阶段的时长依次递减，所述阶段对应兆声波占空比也依次递减。