[发明专利]等离子体设备和半导体器件的制备方法

说明书

本申请公开了一种等离子体设备和半导体器件的制备方法，该设备包括：静电卡盘，包括卡盘底座和设置于卡盘底座上的卡盘；边缘环，包括环绕设置于静电卡盘周围的边缘环侧壁和设置于卡盘底座的凸出部位上的边缘环底座，边缘环侧壁设置于和边缘环底座上，边缘环底座上设置有开口导通边缘环底座。本申请通过在等离子体设备的边缘环底座上设置有开口导通边缘环，从而通过该等离子体设备对晶圆进行沉积工艺或刻蚀工艺时，由于存在开口导通边缘环，因此能够在晶圆的边缘形成一个气流流通的区域，将边缘的反映颗粒物排出，在一定程度上解决了晶圆的边缘反应物颗粒堆积的问题，提高了良率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体制造工艺中的等离子体设备和半导体器件的制备方法。

背景技术

等离子体技术(plasma technology)在半导体制造领域中起着重要的作用，其可应用于多种半导体工艺中，例如沉积(例如化学气相沉积)工艺、刻蚀工艺(例如干法刻蚀)等。

通常，进行沉积工艺或刻蚀工艺的等离子体设备，例如，进行一体化(all-in-one，AIO)刻蚀工艺的刻蚀设备，其刻蚀腔体中设置有静电卡盘(electrostatic chuck，ESC)用于夹持和释放晶圆。

相关技术中，在包含静电卡盘的等离子体设备中对晶圆进行沉积工艺或刻蚀工艺后，在晶圆的边缘堆积有反应颗粒物，在一定程度上降低了晶圆的良率。

发明内容

本申请提供了一种等离子体设备和半导体器件的制备方法，可以解决相关技术中提供的等离子体设备对晶圆进行沉积工艺或刻蚀工艺后在晶圆的边缘堆积有反应颗粒物从而降低了晶圆的良率的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种等离子体设备，包括：

壳体，所述壳体内形成反应腔室；

静电卡盘，所述静电卡盘设置于所述反应腔室中，所述静电卡盘包括卡盘底座和设置于所述卡盘底座上的卡盘；

边缘环，所述边缘环设置于所述反应腔室中，所述边缘环包括环绕设置于所述静电卡盘周围的边缘环侧壁和设置于所述卡盘底座的凸出部位上的边缘环底座，所述边缘环侧壁设置于和所述边缘环底座上，所述边缘环底座上设置有开口，所述开口导通所述边缘环底座；

当所述等离子体设备工作时，所述卡盘吸附晶圆，所述晶圆的边缘的反应颗粒物通过所述开口被所述等离子体设备的真空泵抽走，所述晶圆的边缘是所述晶圆的背面超出所述卡盘吸附区域的区域。

可选的，所述边缘环底座的外侧设置有出口，所述出口和所述开口导通。

可选的，所述边缘环底座的底部暴露在外的区域设置有出口，所述出口和所述开口导通。

可选的，所述边缘环底座上设置有多个所述开口和多个所述出口，每个所述开口与其对应的出口导通。

可选的，所述开口为圆形、椭圆形、三角形或矩形。

可选的，所述出口的形状和所述开口的形状相同。

可选的，所述边缘环侧壁的内径与所述晶圆的半径的差值小于2毫米。

可选的，所述边缘环的构成材料包括铝氧化物。

可选的，所述等离子体设备应用于AIO刻蚀工艺。

另一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法通过上述的任一等离子体设备执行，所述制备方法包括：

将晶圆放置于所述等离子体设备的静电卡盘上，所述静电卡盘包括卡盘底座和设置于所述卡盘底座上的卡盘；