[发明专利]器件结构及其制造方法、滤波器、电子设备

权利要求书

1.一种器件结构，包括：

第一基底和第二基底，彼此对置的间隔开布置；

封装层，设置在对置的第一基底与第二基底之间，以限定在第一基底与第二基底之间的封装空间，封装空间具有封装高度；

MEMS器件，设置于第一基底和/或第二基底，且位于封装空间之内，

其中：

所述封装层包括内密封层和外密封层，所述内密封层的外侧设置有在第一基底和第二基底之间的环形槽，所述环形槽对外侧开口，所述外密封层为金属层，其覆盖所述内密封层的整个外侧，所述环形槽的开口侧在厚度方向上的距离不小于封装高度；且

所述外密封层仅包括位于所述环形槽内的槽内部分，或者所述外密封层包括位于所述环形槽内的槽内部分以及仅仅覆盖第一基底和/或第二基底的侧面的一部分的侧面部分，所述第一基底或第二基底设置有与所述槽内部分电连接的导电部，所述槽内部分覆盖所述内密封层的整个外侧。

2.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

所述环形槽的开口侧在厚度方向上的距离大于所述封装高度。

3.根据权利要求2所述的器件结构，其中：

所述环形槽为从所述内密封层的外侧朝向第一基底和第二基底的外侧边界的扩口形环形槽，所述环形槽的在所述厚度方向上的至少一侧设置为斜面或台阶斜面。

4.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

所述MEMS器件包括体声波谐振器。

5.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

所述环形槽的开口侧在厚度方向上的距离在2-200μm的范围内，且封装高度在1-50μm的范围内。

6.根据权利要求1所述的器件结构，其中：

所述导电部包括设置在对应基底内的导电通孔；或者

所述导电部包括外露于其所在基底的侧面的导电引线，所述外密封层包括覆盖所述导电引线的外侧部分。

7.根据权利要求6所述的器件结构，其中：

所述导电通孔设置在内密封层的外侧而与所述外密封层的槽内部分电连接；或者

所述导电通孔设置在内密封层的内侧，所述内密封层具有限定所述环形槽的内侧边界而与所述槽内部分电连接的导电部分，所述导电通孔与所述内密封层的所述导电部分电连接；或者

所述导电通孔的设置位置在器件结构的厚度方向上与内密封层存在重叠，且所述内密封层具有限定所述环形槽的内侧边界而与所述槽内部分电连接的导电部分，所述导电通孔与所述内密封层的所述导电部分电连接。

8.根据权利要求1所述的器件结构，其中：所述环形槽的由第一基底限定的槽壁设置有第一电镀种子层，和/或所述环形槽的由第二基底限定的槽壁设置有第二电镀种子层。

9.根据权利要求8所述的器件结构，其中：

所述导电部电连接到对应的电镀种子层；和/或

所述内密封层包括限定所述环形槽的内侧壁的导电密封部，所述导电部与所述导电密封部电连接；和/或

所述内密封层包括限定所述环形槽的内侧壁的导电密封部，所述导电部与一个电镀种子层电连接，与所述导电部电连接的电镀种子层与对应的导电密封部连接或者不连接。

10.根据权利要求8所述的器件结构，其中：

所述内密封层包括设置在第一基底从第一基底朝向第二基底延伸的第一密封层，以及设置在第二基底从第二基底朝向第一基底延伸的第二密封层，第一密封层和第二密封层彼此对置。

11.根据权利要求10所述的器件结构，其中：

第一密封层和第二密封层中的至少一个为非导电密封层；且

所述非导电密封层所对应的基底限定的环形槽的槽壁设置有电镀种子层，所述电镀种子层连接到非导电密封层或者被非导电密封层覆盖一部分。