[发明专利]存储装置以及操作该存储装置的方法

说明书

存储装置以及操作该存储装置的方法。本文可提供一种存储装置及其操作方法。该存储装置可包括：存储器装置，其包括存储器单元阵列和页缓冲器；以及存储控制器，其包括写缓冲器。存储器装置还可包括页缓冲器状态确定器，页缓冲器状态确定器被配置为基于页缓冲器的状态来生成页缓冲器状态信号并将该页缓冲器状态信号提供给存储控制器。存储控制器还可包括写操作控制器，写操作控制器被配置为响应于页缓冲器状态信号将从主机提供的数据提供给页缓冲器或写缓冲器，并且基于写缓冲器的状态来控制存储器装置将存储在页缓冲器中的数据编程到存储器单元阵列。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储装置以及操作该存储装置的方法。

背景技术

通常，存储装置是在主机装置(例如，计算机或智能电话)的控制下存储数据的装置。存储装置可包括被配置为存储数据的存储器装置以及被配置为控制存储器装置的存储控制器。存储器装置主要分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置是只有在被供电时才存储数据并且当电源被关闭时其中存储的数据丢失的存储器装置。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。

非易失性存储器装置是即使当电源被关闭时也维持其中存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和闪存。

发明内容

本公开的实施方式可提供一种存储装置，该存储装置包括：存储器装置，其包括存储器单元阵列和页缓冲器；以及存储控制器，其包括写缓冲器。存储器装置还可包括页缓冲器状态确定器，该页缓冲器状态确定器被配置为基于确定页缓冲器的状态的结果来生成页缓冲器状态信号并将页缓冲器状态信号提供给存储控制器。存储控制器还可包括写操作控制器，该写操作控制器被配置为响应于页缓冲器状态信号将从主机提供的数据提供给页缓冲器和写缓冲器中的任一个，并且基于写缓冲器的状态来控制存储器装置将存储在页缓冲器中的数据编程到存储器单元阵列。

本公开的实施方式可提供一种操作存储装置的方法，该存储装置包括存储器装置和存储控制器，该存储器装置包括页缓冲器，该存储控制器包括写缓冲器，该方法包括以下步骤：基于页缓冲器的状态将从主机提供的数据存储在页缓冲器和写缓冲器中的任一个中；以及基于写缓冲器的状态将存储在页缓冲器和写缓冲器中的数据编程到存储器装置的存储器单元阵列。

本公开的实施方式可提供一种存储装置，该存储装置包括：存储器装置，其包括存储器单元阵列和页缓冲器；以及存储控制器，其包括写缓冲器。存储器装置被配置为确定存储在页缓冲器中的数据量。存储控制器被配置为基于存储在页缓冲器中的数据量来将数据提供给页缓冲器和写缓冲器中的任一个，并且基于存储在写缓冲器中的数据量来控制存储器装置将存储在页缓冲器中的数据编程到存储器单元阵列。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施方式的存储装置的图。

图2是示出图1的存储器装置的配置的图。

图3是示出图2的存储器单元阵列的实施方式的图。

图4是示出根据本公开的实施方式的图3的存储块BLK1至BLKz中的任一个存储块BLKa的电路图。

图5是示出根据本公开的实施方式的图3的存储块BLK1至BLKz中的任一个存储块BLKb的电路图。

图6是用于描述根据本公开的实施方式的用于控制多个存储器装置的存储控制器的操作的图。

图7A、图7B和图7C是示出根据本公开的实施方式的存储器单元的阈值电压分布和逻辑页数据的图。

图8是用于描述根据本公开的实施方式的数据编程操作的图。